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本發(fā)明提供了一種存儲單元結(jié)構(gòu)，包括晶體管M1、晶體管M2、晶體管M3、寫位線WBL、寫字線WWL、讀字線RWL和讀位線RBL，其中，所述晶體管M1的漏極連接所述寫位線WBL、柵極連接所述寫字線WWL、源極連接所述晶體管M2的柵極；所述晶體管...該專利屬于天津市濱海新區(qū)微電子研究院所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過天津市濱海新區(qū)微電子研究院授權(quán)不得商用。