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本發明涉及一種自舉電路中實現提高功率MOS管柵壓的柵極驅動電路結構，包括一級驅動模塊、二級驅動模塊和端口驅動模塊，所述的一級驅動模塊、二級驅動模塊和端口驅動模塊依次相連，所述的一級驅動模塊用于負責驅動第二PMOS管P2的開啟及關閉；所述的二...該專利屬于華潤微集成電路（無錫）有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過華潤微集成電路（無錫）有限公司授權不得商用。
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本發明涉及一種自舉電路中實現提高功率MOS管柵壓的柵極驅動電路結構，包括一級驅動模塊、二級驅動模塊和端口驅動模塊，所述的一級驅動模塊、二級驅動模塊和端口驅動模塊依次相連，所述的一級驅動模塊用于負責驅動第二PMOS管P2的開啟及關閉；所述的二...