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本公開的實施例涉及包括電荷存儲區的像素電路。像素電路包括光轉化區、絕緣的垂直電極以及至少一個電荷存儲區。光轉化區屬于半導體襯底的第一部分，并且每個電荷存儲區屬于襯底的第二部分，該第二部分通過絕緣的垂直電極與襯底的第一部分物理分離。與襯底的第...該專利屬于意法半導體（克洛爾2）公司所有，僅供學習研究參考，未經過意法半導體（克洛爾2）公司授權不得商用。
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本公開的實施例涉及包括電荷存儲區的像素電路。像素電路包括光轉化區、絕緣的垂直電極以及至少一個電荷存儲區。光轉化區屬于半導體襯底的第一部分，并且每個電荷存儲區屬于襯底的第二部分，該第二部分通過絕緣的垂直電極與襯底的第一部分物理分離。與襯底的第...