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本發(fā)明涉及一種通過調(diào)節(jié)碳硅比分布提高晶體質(zhì)量的方法，屬于碳化硅晶體制備技術(shù)領(lǐng)域。為解決PVT法制備碳化硅晶體時(shí)碳硅比分布不均的問題，本發(fā)明提供了一種通過調(diào)節(jié)碳硅比分布提高晶體質(zhì)量的方法，向石墨坩堝中加入碳化硅粉料，在碳化硅粉料中心位置插入輔...該專利屬于哈爾濱化興軟控科技有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過哈爾濱化興軟控科技有限公司授權(quán)不得商用。