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本發(fā)明公開了一種SiC半導(dǎo)體器件及其制備方法，該器件包括襯基、第一緩沖層、漂移層、外延層、漏柵源區(qū)、第二緩沖層、耐壓層及貫通區(qū)于外延區(qū)的貫通區(qū)，通過(guò)增加同材料的墊底及外延層的氧化層，可隔離與保護(hù)襯底或外延層，并減少襯墊氧化層出現(xiàn)潛在缺陷的概...該專利屬于陳小建所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)陳小建授權(quán)不得商用。