溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。
一種半導體器件及其形成方法，方法包括：提供襯底；形成位于襯底上的柵極結構和位于柵極結構兩側襯底內的源漏摻雜層；在所述襯底上形成介質層，所述介質層覆蓋柵極結構和源漏摻雜層；在介質層內形成位于源漏摻雜層上的第一溝槽，所述第一溝槽底部表面低于柵極...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。