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一種用于形成半導體器件的方法，該方法包括以下步驟：a)提供半導體表面(6’)，b)在所述表面(6’)上生長III?V半導體納米結構的第一部分(8)，c)用第一材料的層(9)覆蓋所述第一部分(8)，d)去除所述第一材料的層(9)的頂部部分，從...
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