溫馨提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。
本公開(kāi)涉及用于在集成電路內(nèi)制造JFET晶體管的方法及對(duì)應(yīng)的集成電路。根據(jù)本發(fā)明的用于制造BiCMOS類(lèi)型的集成電路(CI)的方法包括制造至少一個(gè)垂直結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(T1)，其包括形成具有通過(guò)光刻控制的有源表面(D)的臨界尺寸的溝道區(qū)域(ZC...該專(zhuān)利屬于意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)意法半導(dǎo)體（克洛爾2）公司授權(quán)不得商用。