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本發明公開了一種集成肖特基二極管的SiC雙溝槽型MOSFET器件，該SiC雙溝槽型MOSFET器件有源區的原胞結構中設置有兩個溝槽，分別是設置在原胞結構中心的柵溝槽和柵溝槽的外圍的源溝槽；柵溝槽和源溝槽的底部四周均進行了與漂移區相反導電類型...
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