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本發(fā)明涉及一種雙槽UMOSFET器件。該器件包括襯底區(qū)(1)；漂移區(qū)(2)、外延層(3)、源區(qū)(4)，依次層疊于襯底區(qū)(1)的上表面；柵極，設(shè)置于漂移區(qū)(2)、外延層(3)及源區(qū)(4)內(nèi)部并位于雙槽UMOSFET器件的中間位置處；柵介質(zhì)保護...該專利屬于西安電子科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過西安電子科技大學(xué)授權(quán)不得商用。