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本發(fā)明公開了一種基于垂直溝道的MISFET(金屬?絕緣介質(zhì)半導(dǎo)體場效應(yīng)管)器件及其制備方法。所述MISFET器件包括源極、漏極、柵極以及MIS結(jié)構(gòu)，所述MIS結(jié)構(gòu)的軸線基本垂直于一選定平面，所述MIS結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和環(huán)繞半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)置的...該專利屬于杭州電子科技大學(xué)所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過杭州電子科技大學(xué)授權(quán)不得商用。