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本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括襯底、柵極、第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)。柵極在襯底上方。第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)在襯底中。第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)具有相同的導(dǎo)電類型且被柵極隔開。在基本垂直于限定在第一摻雜區(qū)和第二摻雜區(qū)之間的溝道長度L的方...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過臺灣積體電路制造股份有限公司授權(quán)不得商用。