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本發明提供了一種具有不對稱結構的晶體管的形成方法，所述方法包括：提供基底，所述基底上具有第一半導體層和位于所述第一半導體層上的第二半導體層；形成覆蓋部分所述第二半導體層的第一掩膜結構，在所述第一掩膜結構的第一側形成第二掩膜結構；對所述第一掩...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。