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本發(fā)明提供一種光電探測器陣列，包括半絕緣的襯底層；覆蓋在所述襯底層表面的絕緣鈍化層；設置在所述襯底層上且位于所述鈍化層內(nèi)的至少2個光電探測器；在每個所述光電探測器的N接觸層上蒸鍍的N接觸電極；在每個所述光電探測器的P接觸層上蒸鍍的P接觸電極...該專利屬于北京郵電大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過北京郵電大學授權(quán)不得商用。
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本發(fā)明提供一種光電探測器陣列，包括半絕緣的襯底層；覆蓋在所述襯底層表面的絕緣鈍化層；設置在所述襯底層上且位于所述鈍化層內(nèi)的至少2個光電探測器；在每個所述光電探測器的N接觸層上蒸鍍的N接觸電極；在每個所述光電探測器的P接觸層上蒸鍍的P接觸電極...