溫馨提示:您尚未登錄,請點 登陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明的實施例涉及包括高k金屬柵極(HKMG)非易失性存儲器(NVM)器件并且提供小規模和高性能的集成電路(IC)以及形成方法。在一些實施例中,集成電路包括邏輯區域和鄰近邏輯區域設置的嵌入式存儲區域。邏輯區域具有邏輯器件,邏輯器件設置在襯底...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
溫馨提示:您尚未登錄,請點 登陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。
本發明的實施例涉及包括高k金屬柵極(HKMG)非易失性存儲器(NVM)器件并且提供小規模和高性能的集成電路(IC)以及形成方法。在一些實施例中,集成電路包括邏輯區域和鄰近邏輯區域設置的嵌入式存儲區域。邏輯區域具有邏輯器件,邏輯器件設置在襯底...