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本發明提供了一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其中將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執行，包括：第一步驟：形成邏輯柵極多晶硅層，并執行邏輯柵極多晶硅刻蝕處理；第二步驟：形成閃存單元字...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權不得商用。
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