一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法技術

本發明專利技術提供了一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其中將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執行，包括：第一步驟：形成邏輯柵極多晶硅層，并執行邏輯柵極多晶硅刻蝕處理；第二步驟：形成閃存單元字線多晶硅層，并執行字線多晶硅刻蝕處理；第三步驟：對刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執行多晶硅氧化處理。在根據本發明專利技術的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，通過改變多晶硅氧化的工藝步驟，不僅可以解決了閃存單元中邏輯器件的短溝道效應，而且可以消除閃存單元的浮柵以及字線多晶硅蝕刻后的殘留，避免閃存功能失效。

Method for preventing split gate flash memory, floating gate and word line polysilicon residue

The invention provides a method for preventing split gate flash memory floating gate and method of word line polysilicon residue, which will process the change from the implementation of polysilicon oxidation after the logic gate etching to perform after etching in the flash unit word line comprises a first step of forming a logic gate polysilicon layer, and performs a logical gate polysilicon etching treatment; second steps: forming a flash unit word line and a polysilicon layer, polysilicon etching processing to perform word line; third steps of etching the logic gate polysilicon layer and a polysilicon layer implementation of flash memory unit word line polysilicon oxidation treatment. In according to the present invention prevent split gate flash memory floating gate and word line polysilicon residual method, through the process of polysilicon oxidation steps to change, not only can solve the short channel effect logic device flash memory unit, and can eliminate the floating gate flash memory unit and residual word line polysilicon after etching, avoid flash function failure.

【技術實現步驟摘要】
一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法
本專利技術涉及半導體制造領域，更具體地說，本專利技術涉及一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法。
技術介紹
閃存以其便捷，存儲密度高，可靠性好等優點成為非揮發性存儲器中研究的熱點。從二十世紀八十年代第一個閃存產品問世以來，隨著技術的發展和各類電子產品對存儲的需求，閃存被廣泛用于手機，筆記本，掌上電腦和U盤等移動和通訊設備中。閃存為一種非易變性存儲器，其運作原理是通過改變晶體管或存儲單元的臨界電壓來控制門極通道的開關以達到存儲數據的目的，使存儲在存儲器中的數據不會因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲器的一種特殊結構。如今，閃存已經占據了非揮發性半導體存儲器的大部分市場份額，成為發展最快的非揮發性半導體存儲器。一般而言，閃存為分柵結構或堆疊柵結構或兩種結構的組合。分柵式閃存由于其特殊的結構，相比堆疊柵閃存在編程和擦除的時候都體現出其獨特的性能優勢；分柵式結構由于具有高的編程效率，字線的結構可以避免“過擦除”等優點，因此應用尤為廣泛。圖1所示是現有技術中的一種分柵結構存儲器陣列中相鄰存儲單元的結構示意圖。如圖1所示，其為現有技術中的一種分柵結構存儲器陣列中相鄰存儲單元的結構示意圖，每個存儲單元包括襯底10，形成在襯底中的邏輯區和閃存單元區，閃存單元區中形成源極12和漏極11，在所述漏極11上引出有位線20，在所述源極12上引出有源線30，以及位于所述源線30和位線20之間的字線40。為了防止字線蝕刻以后，閃存單元具有浮柵以及字線多晶硅殘留，已經采取了特殊的光刻及刻蝕步驟來降低存儲單元陣列的字線和位線區域的淺溝槽高度來防止多晶硅殘留。在閃存產品的早期階段，已經發現由于工藝偏移，一些多晶硅殘留導致了低成品率問題。如果字線和位線發生橋接，則產品在芯片擦除操作之后會顯示出整行失效，而且會出現列編程失效。因此，希望的是，提供一種能夠有效的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法。為了實現上述技術目的，根據本專利技術，提供了一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其中，將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執行。所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法包括：第一步驟：形成邏輯柵極多晶硅層，并執行柵極多晶硅刻蝕處理；第二步驟：形成閃存單元字線多晶硅層，并執行字線多晶硅刻蝕處理；第三步驟：對刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執行多晶硅氧化處理。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，所述防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法用于制造閃存存儲器。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，所述防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法制造分柵快閃存儲器存儲單元。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，所述分柵快閃存儲器存儲單元包括：提供襯底，形成在襯底中的邏輯區和閃存單元區，閃存單元區中形成源線和位線以及位于所述源線和位線之間的字線。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，柵極多晶硅刻蝕處理包括：涂覆第一光刻膠，形成第一光刻膠的圖案，并且利用第一光刻膠的圖案對邏輯柵極多晶硅層執行刻蝕工藝。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，柵極多晶硅刻蝕處理包括：涂覆第二光刻膠，形成第二光刻膠的圖案，并且利用第二光刻膠的圖案對閃存單元字線多晶硅層執行刻蝕工藝。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，多晶硅氧化處理包括：對刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執行快速熱氧化處理。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，在執行快速熱氧化之前對晶圓執行預清洗。優選地，在所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，在第一步驟、第二步驟和第三步驟之后執行輕摻雜注入區的離子注入。在根據本專利技術的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，通過改變多晶硅氧化的工藝步驟，不僅可以解決了邏輯器件的短溝道效應，而且可以消除閃存單元浮柵以及字線多晶硅蝕刻后的殘留，避免閃存功能失效。附圖說明結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本專利技術有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：圖1所示是本技術中分柵結構存儲器陣列中相鄰存儲單元的結構示意圖。圖2示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法的流程圖。需要說明的是，附圖用于說明本專利技術，而非限制本專利技術。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。具體實施方式為了使本專利技術的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本專利技術的內容進行詳細描述。為了降低短溝道效應，邏輯產品使用多晶硅氧化來增大源漏輕摻雜注入區之間的距離，由此本專利技術的專利技術人提出可以考慮使用這種多晶硅氧化的方法來避免分柵快閃存儲器浮柵以及字線的多晶硅殘留。由此，在根據本專利技術的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法中，將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執行。這樣，不僅可以解決了閃存單元中邏輯器件的短溝道效應，而且可以消除閃存單元浮柵以及字線多晶硅蝕刻后的殘留，避免閃存功能失效。下面將結合流程圖來具體描述本專利技術的優選實施例。圖2示意性地示出了根據本專利技術優選實施例的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法的流程圖。如圖2所示，根據本專利技術優選實施例的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法包括：第一步驟S1：形成邏輯柵極多晶硅層，并執行邏輯柵極多晶硅刻蝕處理；具體地，例如，邏輯柵極多晶硅刻蝕處理包括：涂覆第一光刻膠，形成第一光刻膠的圖案，并且利用第一光刻膠的圖案對邏輯柵極多晶硅層執行刻蝕工藝。第二步驟S2：形成閃存單元字線多晶硅層，并執行字線多晶硅刻蝕處理；具體地，例如，柵極多晶硅刻蝕處理包括：涂覆第二光刻膠，形成第二光刻膠的圖案，并且利用第二光刻膠的圖案對閃存單元字線多晶硅層執行刻蝕工藝。第三步驟S3：對刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執行多晶硅氧化處理。具體地，例如，優選地，多晶硅氧化處理包括：對刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執行快速熱氧化(RapidThermalOxidation，RTO)。而且優選地，在執行快速熱氧化之前對晶圓執行預清洗。當然，在第一步驟S1、第二步驟S2和第三步驟S3之間可以執行其它工藝步驟，以形成產品的其它結構。在第一步驟S1、第二步驟S2和第三步驟S3之后，可以執行輕摻雜注入區的離子注入。根據本專利技術優選實施例的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法可以用于制造閃存存儲器，尤其是制造分柵快閃存儲器存儲單元。例如，分柵快閃存儲器存儲單元包括襯底10，形成在襯底中的邏輯區和閃存單元區，閃存單元區(參考圖1)中形成源極12和漏極11，在所述漏極本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執行。

【技術特征摘要】
1.一種防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，將多晶硅氧化的工藝處理從在邏輯柵極刻蝕之后執行變化到在閃存單元字線刻蝕之后執行。2.根據權利要求1所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于包括：第一步驟：形成邏輯柵極多晶硅層，并執行柵極多晶硅刻蝕處理；第二步驟：形成閃存單元字線多晶硅層，并執行字線多晶硅刻蝕處理；第三步驟：對刻蝕后的邏輯柵極多晶硅層和閃存單元字線多晶硅層執行多晶硅氧化處理。3.根據權利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，所述防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法用于制造閃存存儲器。4.根據權利要求1或2所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，所述防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法制造分柵快閃存儲器存儲單元。5.根據權利要求4所述的防止分柵快閃存儲器浮柵以及字線多晶硅殘留的方法，其特征在于，分柵快閃存儲器存儲單元包括：提供襯底，形成在襯底中的邏輯區和閃存單元區，閃存單元...

【專利技術屬性】
技術研發人員：徐濤，孔蔚然，曹子貴，張博，李冰寒，湯志林，陳宏，王卉，
申請(專利權)人：上海華虹宏力半導體制造有限公司，
類型：發明
國別省市：上海,31