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一種半導體結構的制造方法，包括：形成包括第一區域和第二區域的襯底、凸出于第一區域襯底的第一鰭部和凸出于第二區域襯底的第二鰭部；在第一鰭部形成第一偽柵結構，包括柵氧化層和第一偽柵電極層，在第二鰭部形成第二偽柵結構，包括偽柵氧化層和第二偽柵電極...該專利屬于中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司授權不得商用。