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本發(fā)明涉及一種用于可重構全息天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法，該制備方法包括：選取某一晶向的GeOI襯底，在GeOI襯底上淀積GaAs層并設置隔離區(qū)；刻蝕所述襯底形成P型溝槽和N型溝槽，P型溝槽和N型溝槽的深度小于襯底的頂層Ga...該專利屬于西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司授權不得商用。