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本發(fā)明提供一種半導體器件的刻蝕方法，包括步驟S10，提供圓形半導體晶片，其包括半導體襯底，位于半導體襯底上的半導體器件層，半導體器件層上的金屬層，所述半導體器件層包括位于晶片邊緣的通孔結(jié)構(gòu)；S20，在所述金屬層上涂覆光刻膠層；S30，利用E...該專利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過上海華虹宏力半導體制造有限公司授權(quán)不得商用。