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本發明公開了一種低膨脹率多孔硅/石墨復合負極材料及其制備方法,通過去合金化的工藝實現了多孔硅的制備,實現了納米硅的廉價制備,通過碳包覆實現了多孔硅的導電性以及穩定性的提高,通過與石墨負極材料按照一定比例均勻混合,實現了多孔硅/石墨低膨脹硅碳...該專利屬于山東泰納新材料科技有限公司所有,僅供學習研究參考,未經過山東泰納新材料科技有限公司授權不得商用。
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