The invention discloses a low expansion rate of porous silicon / graphite composite anode material and its preparation method, through the process to achieve the alloying of porous silicon, realize nanometer silicon cheap prepared by carbon coating the conductive porous silicon and improve the stability, with graphite anode material according to certain proportion mixed, implementation of porous silicon / graphite low expansion silicon carbon cathode material preparation and design. This kind of material has the following advantages: porous silicon in space to provide enough space for the expansion of silicon, silicon and carbon cathode so as to realize the overall low expansion, low expansion and ensure the safety of the battery electrode; through the silicon carbon coating, including carbon graphite, amorphous carbon, implementation the conductivity of porous silicon and improve the stability; dealloy cheap way to ensure the silicon cheap and the composite anode is cheap.
【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料及其制備方法
本專利技術涉及鋰離子電池硅/石墨復合負極電極材料的制備領域,具體涉及一種在充放電過程中低膨脹率的多孔硅/石墨復合電極材料及其制備方法。
技術介紹
目前,商業(yè)化的鋰離子電池是一種以石墨為負極,以含鋰的化合物作為正極,正負極之間以隔膜隔開,構成的可連續(xù)充放電的二次電池體系。在充電過程中,鋰離子從正極脫嵌,通過電解液以及隔膜,到達負極,并與石墨形成C6Li的化合物,放電過程中,鋰離子從負極脫嵌出來,經(jīng)過隔膜到達正極。從上述過程中可以發(fā)現(xiàn),正極的含鋰量以及負極的儲鋰能力決定了鋰離子電池的容量。作為目前商業(yè)化的負極,石墨材料因其良好的導電性以及穩(wěn)定性,成為了目前主流的負極材料。但是,其儲鋰機制(形成C6Li的插層化合物),決定了其較低的比容量,僅有372mAh/g,在一定程度上阻礙了鋰離子電池容量的提升。近年,因傳統(tǒng)能源的使用,造成的環(huán)境污染、霧霾以及全球氣候變化,使人們?nèi)找娓惺艿介_發(fā)新能源的必要性。其中,鋰離子電池作為新一代電動汽車使用的主要電池,迫切需要大幅度提升比容量,以實現(xiàn)動力電池超長的續(xù)航能力。由此可見,開發(fā)下一代高比容量的負極材料具有重要意義以及廣闊前景。近年來,硅負極材料因其超高的比容量而備受關注。以高溫合金相Li4.4Si計算,其理論比容量課高達4200mAhg-1。此外,硅作為地球的主要元素之一,為大規(guī)模制備提供了先天優(yōu)勢。其次,硅的充放電平臺較低,可以有效避免鋰枝晶的析出,保證了電池的安全性。但是硅在實際商業(yè)化的過程中也面臨很多挑戰(zhàn);首先,硅材料在充放電過程中會發(fā)生高達300%以上的體積變化,造成 ...
【技術保護點】
一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)、商業(yè)化的合金硅球制備;(2)、將合金硅球進行去合金化;(3)、將去合金化后的多孔硅球進行碳包覆后或直接與商業(yè)化石墨負極按比例均勻混合,得到低膨脹率的石墨/多孔硅復合負極材料。
【技術特征摘要】
1.一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:(1)、商業(yè)化的合金硅球制備;(2)、將合金硅球進行去合金化;(3)、將去合金化后的多孔硅球進行碳包覆后或直接與商業(yè)化石墨負極按比例均勻混合,得到低膨脹率的石墨/多孔硅復合負極材料。2.根據(jù)權利要求1所述的一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料的制備方法,其特征在于,合金硅球是指能和酸反應的較活潑的金屬合金球,其為鎂硅合金、鋁硅合金、錫硅合金中的任一種。3.根據(jù)權利要求1所述的一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料的制備方法,其特征在于,步驟(1)硅合金的制備為:通過將硅與金屬進行熔煉后,得到成分均勻的合金錠,然后,將合金錠進行霧化后,得到粒徑在100納米到50微米之間的合金硅球。4.根據(jù)權利要求1所述的一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料的制備方法,其特征在于,步驟(2)中,去合金化所選用的酸為濃度為0.1mol/L到10mol/L的鹽酸或者硫酸,反應時間為0.5小時到20小時,將金屬徹底去除,得到多孔硅顆粒。5.根據(jù)權利要求1所述的一種低膨脹率多孔硅/石墨復合電極材料的制備方法,其特征在于,步驟(3)中,石墨與多孔硅或者碳包覆多孔硅的混合的質(zhì)量比為為1:1到99(石墨):1,...
【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員:慈立杰,翟偉,邵學智,
申請(專利權)人:山東泰納新材料科技有限公司,
類型:發(fā)明
國別省市:山東,37
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