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一種用于多層全息天線的GaAs?Ge?GaAs異質結構的pin二極管制備方法。該制備方法包括：(a)選取GeOI襯底；(b)刻蝕所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內形成第一溝槽和第二溝槽；(c)在所述第一溝槽和所述第二溝槽內淀積...該專利屬于西安科銳盛創新科技有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過西安科銳盛創新科技有限公司授權不得商用。
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