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本發明涉及一種納米級顆粒物過飽和增長裝置及控制方法。該裝置包括顆粒物樣氣通道、鞘氣通道、飽和水蒸氣通道、去離子水通道、氣流比例控制裝置和溫度梯度控制裝置。本發明是基于水蒸氣凝結原理，將潔凈鞘氣包裹的帶有大氣顆粒物的樣氣通過飽和水蒸氣通道，利...該專利屬于中國科學院合肥物質科學研究院所有，僅供學習研究參考，未經過中國科學院合肥物質科學研究院授權不得商用。
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本發明涉及一種納米級顆粒物過飽和增長裝置及控制方法。該裝置包括顆粒物樣氣通道、鞘氣通道、飽和水蒸氣通道、去離子水通道、氣流比例控制裝置和溫度梯度控制裝置。本發明是基于水蒸氣凝結原理，將潔凈鞘氣包裹的帶有大氣顆粒物的樣氣通過飽和水蒸氣通道，利...