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半導體FET器件包括緩沖結構和鰭結構。緩沖結構具有鰭狀，設置在襯底上方并且沿著第一方向延伸。鰭結構包括FET器件的溝道區，設置在緩沖結構上并且沿著第一方向延伸。沿著與第一方向垂直的第二方向的緩沖結構的寬度大于沿著第二方向在緩沖結構和鰭結構之...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過臺灣積體電路制造股份有限公司授權不得商用。
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半導體FET器件包括緩沖結構和鰭結構。緩沖結構具有鰭狀，設置在襯底上方并且沿著第一方向延伸。鰭結構包括FET器件的溝道區，設置在緩沖結構上并且沿著第一方向延伸。沿著與第一方向垂直的第二方向的緩沖結構的寬度大于沿著第二方向在緩沖結構和鰭結構之...