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本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。可提高形成于襯底上的膜的特性。本發明提供一種半導體器件的制造方法，其具有下述工序：將形成有具有硅氮鍵的膜、并對膜實施了前烘的襯底搬入處理容器的工序；以前烘的溫度以下的第一溫度向襯底供給...
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