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用于雙側面半導體器件制造的方法和系統。可以使用耐高溫操作晶片和耐中溫操作晶片制造在每個表面上具有多個引線的器件。摻雜劑可以被引入在兩個側面上，之后不久，單次長時間高溫擴散步驟將所有的摻雜劑在兩個側面上擴散到大致相等的深度。所有的高溫處理在沒...
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