溫馨提示：您尚未登錄，請點 登陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。
根據(jù)一些實施例，本發(fā)明提供了一種形成場效應(yīng)晶體管(FET)的方法。該方法包括對半導(dǎo)體襯底實施蝕刻工藝，從而在半導(dǎo)體襯底的源極和漏極(S/D)區(qū)域中形成凹槽；在凹槽中形成第一半導(dǎo)體的鈍化材料層；以及外延生長第二半導(dǎo)體材料，從而在凹槽中形成S/...該專利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過臺灣積體電路制造股份有限公司授權(quán)不得商用。