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本發(fā)明公開了一種基于GeSn/SiGeSn材料的II型異質(zhì)結(jié)隧穿場效應晶體管，主要解決現(xiàn)有基于IV族材料的隧穿場效應晶體管性能差的問題。其包括襯底(1)、源極(2)、溝道(3)和漏極(4)。源極采用Sn組分為[0.05,0.12]的單晶Ge...該專利屬于西安電子科技大學所有，僅供學習研究參考，未經(jīng)過西安電子科技大學授權不得商用。