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本申請(qǐng)?zhí)峁┮环NCMOS集成電路的制造方法，包括a.提供具有相接界的P型阱和N型阱的硅片基體；b.在所述P型阱表面形成第一N型漂移區(qū)和第二N型漂移區(qū)，在所述N型阱表面形成第一P型漂移區(qū)和第二P型漂移區(qū)，所述第一N型漂移區(qū)、所述第二N型漂移區(qū)、...該專(zhuān)利屬于中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所所有，僅供學(xué)習(xí)研究參考，未經(jīng)過(guò)中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十七研究所授權(quán)不得商用。