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本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝。所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層膜結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述底...該專利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司所有，僅供學習研究參考，未經過武漢新芯集成電路制造有限公司授權不得商用。
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本發明涉及半導體制造領域，特別涉及一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝。所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層膜結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述底...