一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝制造技術

本發明專利技術涉及半導體制造領域，特別涉及一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝。所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層膜結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述底層抗反射薄膜折射率最小。本發明專利技術的氮氧化硅漸變抗反射薄膜具有漸變的折射系數，當入射光照射到抗反射薄膜上時，通過漸變的抗反射薄膜實現入射光的不停偏轉，最后達到相應的器件，從而在實現高光透射的同時具有更高的收攏性，減少光的損失或干擾，增加器件的性能。

【技術實現步驟摘要】
一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝
本專利技術涉及半導體制造領域，特別涉及一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝。
技術介紹
抗反射薄膜廣泛應用于汽車玻璃，太陽能電池以及CMOS傳感器等領域，其目的是減少光的反射以實現更多的透射率。由于入射光的入射角度廣，現有技術的折射率不變的抗反射薄膜會導致一部分的光線被斜射出去而不能到達對應光學器件造成光的損失，或者斜射入相鄰器件繼而造成信號干擾，如附圖1所示。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜及其制備工藝，解決了現有技術中部分光線容易被抗反射薄膜斜射出去而不能到達光學器件或射入相鄰器件造成信號干擾的技術問題。本專利技術解決上述技術問題的技術方案如下:所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜沉積在半導體器件上，所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層氮氧化硅(SiOxNy)結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述底層抗反射薄膜的折射率最小。 在上述技術方案的基礎上，本專利技術還可以做如下改進。進一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜從上到下的各氮氧化硅層中，氧和氮的比例逐漸增大。進一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜各層的折射率從1.92到1.46逐漸減小。一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜的制備方法，包括以下步驟:(I)提供半導體器件；(2)采用PECVD工藝，調整沉積腔中沉積溫度為320~550°C，反應壓強為120~150Pa,在沉積腔中通入SiH4氣體、NH3氣體和N2O氣體的混合氣體，固定所述SiH4氣體和NH3氣體的流量分別為60cm3/min和40cm3/min,調整所述N2O氣體的流量在15~45cm3/min之間逐漸增大，形成一由上到下折射率依次減小并且無明顯分界的氮氧化硅抗反射薄膜。進一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜從上到下的各氮氧化硅層中，氧和氮的比例逐漸增大。進一步，所述氮氧化硅抗反射薄膜各層的折射率從1.92到1.46逐漸減小。本專利技術的有益效果是:本專利技術的氮氧化硅抗反射薄膜具有漸變的折射系數(n)，當入射光照射到抗反射薄膜上時，通過漸變的抗反射薄膜實現入射光的不停偏轉，最后達到相應的器件，從而在實現高光透射的同時具有更高的收攏性，減少光的損失或干擾，增加器件的性能。【附圖說明】圖1為本專利技術為現有技術中抗反射薄膜的光路圖；圖2為本專利技術的氮氧化硅漸變抗反射薄膜的光路圖；圖3為本專利技術的氮氧化硅漸變抗反射薄膜制備方法的流程圖。【具體實施方式】以下結合附圖對本專利技術的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本專利技術，并非用于限定本專利技術的范圍。如圖2所示，為本專利技術的氮氧化硅漸變抗反射薄膜的光路圖，如圖2所示，所述氮氧化硅漸變抗反射薄 膜沉積在半導體器件上，所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層氮氧化硅(SiOxNy)結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜上表面還沉積有一層氧化層，所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述氧化層相接觸的為頂層抗反射薄膜，與半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述頂層抗反射薄膜的折射率最大，為1.92，所述底層抗反射薄膜的折射率最小，為1.46。本實施例中，所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為具有多層膜結構的氮氧化硅(SiOxNy)抗反射薄膜，所述氮氧化硅抗反射薄膜從上到下的各層中，氧和氮的比例逐漸增大，即從上到下的各層氮氧化硅薄膜中，氧的含量逐漸增大，氮的含量逐漸減少。本實施例中，所述氮氧化硅抗反射薄膜的制備方法，包括以下步驟:(I)提供半導體器件；(2)采用PECVD工藝，調整沉積腔中沉積溫度為400°C，反應壓強為150Pa，在沉積腔中通入SiH4氣體、NH3氣體和N2O氣體的混合氣體，固定所述SiH4氣體和NH3氣體的流量分別為60cm3/min和40cm3/min,調整所述NH3氣體的流量在15~45cm3/min之間逐漸增大，從而形成一由上到下折射率依次減小并且無明顯分界的氮氧化硅抗反射薄膜。在其他實施例中，所述沉積腔中沉積溫度為320~550°C的任意數值，反應壓強為120~150Pa的任意數值，通過改變所述SiH4氣體、NH3氣體和N2O氣體的流量，調整所述氮氧化硅抗反射薄膜各層的氮和氧的含量，從而控制所述氮氧化硅抗反射薄膜從上至下各層的折射率逐漸減小。本專利技術的抗反射薄膜具有漸變的折射系數(η)，當入射光照射到抗反射薄膜上時，通過漸變的抗反射薄膜實現入射光的不停偏轉，最后達到相應的器件，從而在實現高光透射的同時具有更高的收攏性，減少光的損失或干擾，增加器件的性能。以上所述僅為本專利技術的較佳實施例，并不用以限制本專利技術，凡在本專利技術的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本專利技術的保護范圍之內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜，所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜沉積在半導體器件上，其特征在于：所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層氮氧化硅(SiOxNy)結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述底層抗反射薄膜的折射率最小。

【技術特征摘要】
1.一種氮氧化硅漸變抗反射薄膜，所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜沉積在半導體器件上，其特征在于:所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜為在膜厚方向上從上到下折射率依次減小并且無明顯分界的多層氮氧化硅(SiOxNy)結構；所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜中與所述半導體器件相接觸的為底層抗反射薄膜，所述底層抗反射薄膜的折射率最小。2.根據權利要求1所述的氮氧化硅漸變抗反射薄膜，其特征在于:所述氮氧化硅抗反射薄膜從上到下的各氮氧化硅層中，氧和氮的比例逐漸增大。3.根據權利要求1述的氮氧化硅漸變抗反射薄膜，其特征在于:所述氮氧化硅抗反射薄膜各層的折射率從1.92到1.46逐漸減小。4.一種權利要求1~3任一所述氮氧化硅漸變抗反射薄膜的制備方法，包括以下步驟: (1)提供半導體...

【專利技術屬性】
技術研發人員：洪齊元，黃海，
申請(專利權)人：武漢新芯集成電路制造有限公司，
類型：發明
國別省市：湖北;42