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一種方法包括在襯底上形成III-V族化合物層并且將主摻雜劑注入到III-V族化合物層以形成源極區和漏極區。方法進一步包括將V族物質注入到源極區和漏極區。一種半導體器件包括襯底和襯底上方的III-V族化合物層。半導體器件進一步包括III-V族...
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