GPP二極管芯片生產(chǎn)工藝流程制造技術(shù)

GPP二極管芯片生產(chǎn)工藝流程，涉及二極管芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，在整個生產(chǎn)的過程中一定要遵循：清洗硅片—噴磷—一次分離—單面吹砂—涂硼—硅片擴散—二次分離—雙面吹砂—光刻、刻蝕—清洗烘干—表面金屬化—完成晶片的整個過程，特別對于光刻步驟需要將清洗完成后的硅片涂布光致抗蝕劑然后套準掩模板并曝光，然后用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，最后去除已感光的光致抗蝕劑層。本發(fā)明專利技術(shù)在整個過程中進過反復(fù)的分離、清洗和吹砂能夠有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，而且自主創(chuàng)新的擴散工藝能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量，于提高工作效率。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程
:本專利技術(shù)涉及二極管芯片制造
，具體涉及GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程。
技術(shù)介紹
:GPP芯片主要用于SMD封裝、橋堆和高檔1N400系列整流管，其中SMD器件是滇西 信息制造業(yè)的主流技術(shù)，而國家也是對SMD進行重點支持和鼓勵，二極管應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛 性和不可替代性決定這個行業(yè)前景的廣闊性，目前GPP被廣泛應(yīng)用于整流橋堆，比普通STD 具有更高的可靠性和穩(wěn)定性，但是目前在國內(nèi)一些比較先進的技術(shù)都被大型國有企業(yè)掌 控，在普通的生產(chǎn)企業(yè)中所采用的技術(shù)比較簡單，而且生產(chǎn)成本高，生產(chǎn)效率較低。
技術(shù)實現(xiàn)思路
:本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題在于提供一種能夠有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成 本，提高產(chǎn)品質(zhì)量增加二極管芯片穩(wěn)定性的GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程。本專利技術(shù)所要解決的技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn):GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下技術(shù)步驟:(I)選取質(zhì)量優(yōu)異的硅片對硅片進行清洗，將硅片放置在清洗機上對其進行物理 清洗，在清洗完成后將其取出待用；(2)在硅片清洗完成后使用機器對其進行帖磷和附磷操作；(3)操作完成后采用激光技術(shù)對硅片進行分離；(4)分離完成后對已經(jīng)分離過的硅片進行單面吹砂，將其放置在噴砂機中對硅片 的單面進行噴砂，噴砂完成后進行清洗然后待用；(5)將單面吹砂后的硅片進行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝 酸鋁的混合溶劑；(6)將硅片放置在經(jīng)過1220°C高溫設(shè)備中2小時左右，使磷原子擴散到硅片內(nèi)部；(7)將擴散后的硅片放置在氫氟酸中數(shù)天后使其自動進行硅片分離；(8)將分離后的硅片放置在噴砂機中，對分離后的硅片的兩面繼續(xù)進行吹砂，噴砂 完成后進行清洗待用；(9)將清洗完成后的硅片涂布光致抗蝕劑然后套準掩模板并曝光，然后用顯影液 溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，最后去除 已感光的光致抗蝕劑層，即完成光刻；(10)對光刻完成后的硅片進行濕法刻蝕，使其去除遮蔽膜的材料，然后將其清洗 干凈待用；(11)將已經(jīng)刻蝕之后的硅片進行表面金屬化處理，使其看起來更加光澤亮麗，然 后再對娃片進行一次光刻處理；(12)處理完成后即便完成晶片的生產(chǎn)。本專利技術(shù)的有益效果是:在整個過程中進過反復(fù)的分離、清洗和吹砂能夠有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，而且自主創(chuàng)新的擴散工藝能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量，于提高工作效率。 【具體實施方式】:為了使本專利技術(shù)實現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結(jié) 合具體示例，進一步闡述本專利技術(shù)。GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下方法進行加工:選取質(zhì)量優(yōu)異的硅片對硅片進行清洗，將硅片放置在清洗機上對其進行物理清 洗，在清洗完成后將其取出待用，在硅片清洗完成后使用涂磷機器對其進行帖磷和附磷操 作，操作完成后采用激光技術(shù)對硅片進行分離，分離完成后對已經(jīng)分離過的硅片進行單面 吹砂，將其放置在噴砂機中對硅片的單面進行噴砂，噴砂完成后進行清洗然后待用，將單面 吹砂后的硅片進行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝酸鋁的混合溶劑，將 硅片放置在經(jīng)過1220°C高溫設(shè)備中2小時左右，使磷原子擴散到硅片內(nèi)部，將擴散后的硅 片放置在氫氟酸中數(shù)天后使其自動進行娃片分離，將分離后的硅片放置在噴砂機中，對分 離后的硅片的兩面繼續(xù)進行吹砂，噴砂完成后進行清洗待用，將清洗完成后的硅片涂布光 致抗蝕劑然后套準掩模板并曝光，然后用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶 解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，最后去除已感光的光致抗蝕劑層，即完成光刻，對光 刻完成后的硅片進行濕法刻蝕，使其去除遮蔽膜的材料，然后將其清洗干凈待用，將已經(jīng)刻 蝕之后的硅片進行表面金屬化處理，使其看起來更加光澤亮麗，然后再對硅片進行一次光 刻處理，處理完成后即便完成晶片的生產(chǎn)。在整個生產(chǎn)的過程中一定要遵循:清洗硅片一噴磷一一次分離一單面吹砂一涂 硼一硅片擴散一二次分離一雙面吹砂一光刻、刻蝕一清洗烘干一表面金屬化一完成晶片的 整個過程，這樣生產(chǎn)出來的GPP 二極管芯片才會更加穩(wěn)定，同時效率也提高了成本也相對 有所降低。以上顯示和描述了本專利技術(shù)的基本原理和主要特征和本專利技術(shù)的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本專利技術(shù)不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本 專利技術(shù)的原理，在不脫離本專利技術(shù)精神和范圍的前提下，本專利技術(shù)還會有各種變化和改進，這些變 化和改進都落入要求保護的本專利技術(shù)范圍內(nèi)。本專利技術(shù)要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其 等效物界定。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
GPP二極管芯片生產(chǎn)工藝流程其特征在于：GPP二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下技術(shù)步驟：（1）選取質(zhì)量優(yōu)異的硅片對硅片進行清洗，將硅片放置在清洗機上對其進行物理清洗，在清洗完成后將其取出待用；（2）在硅片清洗完成后使用機器對其進行帖磷和附磷操作；（3）操作完成后采用激光技術(shù)對硅片進行分離；（4）分離完成后對已經(jīng)分離過的硅片進行單面吹砂，將其放置在噴砂機中對硅片的單面進行噴砂，噴砂完成后進行清洗然后待用；（5）將單面吹砂后的硅片進行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝酸鋁的混合溶劑；（6）將硅片放置在1220℃高溫設(shè)備中2小時左右，使磷原子擴散到硅片內(nèi)部；（7）將擴散后的硅片放置在氫氟酸中數(shù)天后使其自動進行硅片分離；（8）將分離后的硅片放置在噴砂機中，對分離后的硅片的兩面繼續(xù)進行吹砂，噴砂完成后進行清洗待用；（9）將清洗完成后的硅片涂布光致抗蝕劑然后套準掩模板并曝光，然后用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層，最后去除已感光的光致抗蝕劑層，即完成光刻；（10）對光刻完成后的硅片進行濕法刻蝕，使其去除遮蔽膜的材料，然后將其清洗干凈待用；（11）將已經(jīng)刻蝕之后的硅片進行表面金屬化處理，使其看起來更加光澤亮麗，然后再對硅片進行一次光刻處理；（12）處理完成后即便完成晶片的生產(chǎn)。...

【技術(shù)特征摘要】
1.GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程其特征在于:GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下技術(shù)步驟:(1)選取質(zhì)量優(yōu)異的硅片對硅片進行清洗，將硅片放置在清洗機上對其進行物理清洗， 在清洗完成后將其取出待用；(2)在硅片清洗完成后使用機器對其進行帖磷和附磷操作；(3)操作完成后采用激光技術(shù)對硅片進行分離；(4)分離完成后對已經(jīng)分離過的硅片進行單面吹砂，將其放置在噴砂機中對硅片的單 面進行噴砂，噴砂完成后進行清洗然后待用；(5)將單面吹砂后的硅片進行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝酸鋁 的混合溶劑；(6)將硅片放置在1220°C高溫設(shè)備中2小時左右，使磷原子擴散到硅片...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：楊威，樊玉，楊躍武，楊學勤，
申請(專利權(quán))人：蚌埠天宇機械工具有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：