芯片裝置及其制造方法制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術的各個實施例涉及芯片裝置及其制造方法。該芯片裝置包括載體和被布置在載體之上的至少兩個芯片，其中在該至少兩個芯片之間以及在載體與至少兩個芯片中的至少一個芯片之間布置有連續(xù)絕緣層。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

各個實施例涉及一種芯片裝置(chip arrangement)和制造芯片裝置的方法。
技術介紹
在本領域中，制造芯片裝置的方法，尤其是制造多芯片裝置的方法已經(jīng)是眾所周知的。在多芯片裝置的情況下，通常多個芯片被側(cè)對側(cè)(side-by-side)地或者芯片對芯片(chip-by-chip)地布置，并且通過接觸線、導體、鍵合接線等接觸。在這類多芯片裝置中，單個芯片之間的電絕緣非常重要，以便保持芯片裝置的運行。因此，需要一種制造在不同芯片之間提供充分絕緣的多芯片裝置的方法。
技術實現(xiàn)思路
各個實施例提供了一種芯片裝置，該芯片裝置包括:載體；以及，布置在載體之上的至少兩個芯片；其中連續(xù)絕緣層布置在至少兩個芯片之間并且布置在載體與至少兩個芯片中的至少一個芯片之間。此外，各個實施例提供了一種芯片裝置，該芯片裝置包括:載體；布置在載體上的第一芯片；以及，布置在連續(xù)絕緣層上并且布置在第一芯片旁邊的第二芯片，其中連續(xù)絕緣層布置在第一芯片上。而且，各個實施例提供了一種制造芯片裝置的方法，該方法包括在載體上布置第一芯片；在連續(xù)絕緣層上布置第二芯片；以及，在布置在載體上的第一芯片上布置連續(xù)絕緣層。【附圖說明】在附圖中，貫穿不同的視圖，相似的附圖標記通常表示相同的部分。附圖并不一定是按照比例繪制而成。相反，重點通常在于圖示本專利技術的原理。在以下的說明中，將參考以下附圖對各個實施例進行描述，在圖中:圖1A至圖1H示出了根據(jù)示例性實施例的制造芯片裝置的方法步驟。圖2示出了制造芯片裝置的方法的替代方法的一部分。圖3示出了制造芯片裝置的方法的簡化流程圖。【具體實施方式】在以下說明中，將對半導體器件和制造半導體器件的方法的進一步示例性實施例進行闡釋。應該注意，在一個具體示例性實施例的背景下描述的對具體特征的說明，也可以與其他示例性實施例結(jié)合。詞語“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或者圖示”。在本文中所描述的任何作為“示例性”的實施例或者設計不一定被解釋為比其他實施例或者設計優(yōu)選或有利。各個實施例提供了一種芯片裝置和制造芯片裝置的方法，該芯片裝置包括布置在載體或者芯片載體上的至少兩個芯片，并且包括布置在該至少兩個芯片中的第一芯片與該至少兩個芯片中的第二芯片之間的連續(xù)絕緣層。特別地，該至少兩個芯片中的一個芯片可以是功率芯片，而另一個芯片可以是邏輯芯片。特別地，連續(xù)絕緣層可以是介電薄片，該介電薄片可以具有在2微米至100微米范圍內(nèi)的厚度，優(yōu)選地，在5微米至50微米之范圍內(nèi)的厚度。例如，連續(xù)絕緣層可以通過化學氣相沉積形成。應該注意，連續(xù)絕緣層可以直接布置或者放置在第一芯片上，或者，附加元件或者層可以布置在第一芯片與連續(xù)絕緣層之間。在制造芯片裝置的方法中，具體地可以通過使連續(xù)絕緣層布置在第二芯片與載體之間的方式將連續(xù)絕緣層布置在第一芯片上。特別地，可以將多個第一芯片(例如，至少兩個第一芯片)放置或者布置在載體上，例如，通過焊料或者粘合劑布置在載體上并且/或者固定至載體，并且/或者，可以將多個第二芯片放置在連續(xù)絕緣層(例如，介電薄片)上。優(yōu)選地，可以將多個第一芯片和/或第二芯片彼此側(cè)對側(cè)地分別放置在載體和連續(xù)絕緣層上。應提及，術語“第一芯片”和“第二芯片”不一定意味著第一芯片和第二芯片在功能性上不同。這些術語確切地是指將一個或多個第一芯片放置在載體上而將一個或多個第二芯片放置在連續(xù)絕緣層上這一事實。例如，連續(xù)絕緣層可以是可擴展的或者有彈性的。術語“連續(xù)層”可以特指例如絕緣材料的層，該層形成為單個連續(xù)均質(zhì)層(例如，單個疊層(laminate layer))。在連續(xù)層中，不同分部(subsect1n)之間不存在不連續(xù)變化。由此，其必須與由不同分部或者不同子層(例如，包括粘合劑的分部和包括例如預浸料的另一分部)形成的層區(qū)分開來。術語“在…之上”可以特指一個元件或者層布置在另一元件或者層的一側(cè)上，但是，并不一定是直接在另一元件或者層上。即，術語“在…之上”不排除在其間布置有其他層或者元件。根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，載體包括導電材料。特別地，載體可以由導電材料組成。例如，載體可以是引線框架或者金屬載體。可以使用的材料的示例是金屬(例如，銅、銀或者鋁)、導電塑料和導電陶瓷等等。然而，作為替代方案，也可以使用非導電材料作為載體，例如(非導電)塑料或者(非導電)陶瓷。優(yōu)選地，布置在載體之上或者布置在載體上的芯片電連至該載體。根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，絕緣層包括具有200°C以上的熔化溫度的材料。特別地，熔化溫度可以在250°C以上，例如，至少260°C，該溫度通常用于焊接工藝。當使用具有在焊接溫度以上的熔化溫度或者分解溫度的絕緣材料時，有可能可以在之后執(zhí)行焊接步驟而不破壞絕緣層。根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，絕緣層包括由下列各項組成的組中的至少一種材料:熱固性材料、熱塑性材料、橡膠材料、及其混合物。通常，所使用的材料可以是具有在200°C以上的熔化溫度或者分解溫度的材料。特別地，熱塑性材料或者塑性體材料可以是高質(zhì)量材料。高質(zhì)量材料可以特指具有在200°C以上(特別地，在250°C以上，例如，在260°C以上)的熔化溫度或者分解溫度的材料。根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，連續(xù)絕緣體是疊層。特別地，連續(xù)絕緣層可以由均質(zhì)材料組成。由此，必須與拼接組成的層區(qū)分開來。根據(jù)示例性實施例，芯片裝置進一步包括布置在該至少兩個芯片之上的包封層(encapsulat1n layer)。特別地，包封層可以由模制材料形成，或者可以包括模制材料，并且/或者可以通過另外的(連續(xù))層例如疊層形成，其布置在該至少兩個芯片之上并且形成芯片裝置的鈍化的一部分。包封層可以具有在10微米至400微米范圍內(nèi)的厚度，優(yōu)選地，在20微米至200微米范圍內(nèi)的厚度。根據(jù)示例性實施例，芯片裝置進一步包括延伸通過包封層的互連。特別地，芯片裝置可以僅僅包括延伸通過包封層的互連。即，載體可以不具有通過載體形成的任何互連。根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，連續(xù)絕緣層適合于充當用于該至少兩個芯片中的至少一個芯片的粘合材料。 根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，載體可以具有在100微米至1000微米范圍內(nèi)的厚度。特別地，載體可以是引線框架或者疊層。然而，優(yōu)選地，載體不是普通的印刷電路板。即，術語“載體”可以特指基本上二維的任何元件或支撐，其是自支撐的或者足夠堅硬以支撐自身和布置在其上的芯片，但是其不由印刷電路板形成。根據(jù)芯片裝置的示例性實施例，連續(xù)絕緣層布置在第一芯片的至少三個側(cè)處。特別地，連續(xù)絕緣層在至少三個側(cè)(例如，在五個側(cè))上覆蓋第一芯片。例如，除了第一芯片布置在載體上的一側(cè)之外，連續(xù)絕緣層可以在所有側(cè)上覆蓋第一芯片。根據(jù)示例性實施例，芯片裝置進一步包括包封層。根據(jù)制造芯片裝置的方法的示例性實施例，在將第二芯片布置在連續(xù)絕緣層上的情況下，連續(xù)絕緣層包括粘性的材料。特別地，材料可以是預固化的材料。預固化的材料的示例可以是，例如，預固化的熱固性材料、預固化的高質(zhì)量熱塑性塑性體材料。根據(jù)示例性實施例，制造芯片裝置的方法進一步包括:在將連續(xù)絕緣層布置在第一芯片上之前，在第二芯片的頂部上布置包封層。根據(jù)示例性實施例，制造芯片裝置的方法進一步包括:在將連續(xù)絕緣層布置在第一芯片上的期間，在第二芯片的頂部上布置包封層。特別地本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種芯片裝置，包括：載體；以及被布置在所述載體之上的至少兩個芯片；其中連續(xù)絕緣層被布置在所述至少兩個芯片之間以及在所述載體與所述至少兩個芯片中的至少一個芯片之間。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：J·馬勒，P·施特羅貝爾，E·富爾古特，
申請(專利權)人：英飛凌科技奧地利有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：奧地利;AT