一種耦合器校準方法技術

本發明專利技術公開了一種耦合器校準方法，該校準方法包括如下步驟：利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值；利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定；利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值；計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值。本發明專利技術的校準方法能夠適用于大功率耦合器的校準；本發明專利技術的校準方法能夠提高大功率耦合器的校準精度。

【技術實現步驟摘要】
【專利摘要】本專利技術公開了，該校準方法包括如下步驟：利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值；利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定；利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值；計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值。本專利技術的校準方法能夠適用于大功率耦合器的校準；本專利技術的校準方法能夠提高大功率耦合器的校準精度。【專利說明】
本專利技術涉及耦合器校準
，特別涉及，該方法適用于大功率的耦合器。
技術介紹
隨著遠距離雷達和高功率微波技術的飛速發展，微波源的功率不斷提高。目前，實際應用需要的微波源的峰值功率高達GW量級，其平均功率高達kW量級。對于這種大功率的微波源，現有技術的測量方法無法直接測量其功率，通常需要利用耦合器將微波源發射的微波耦合為小功率的微波，然后通過測量小功率的微波實現對微波源功率的間接測量。在利用耦合器對微波耦合之前需要對耦合器進行校準。利用耦合器對大功率的微波進行耦合時，耦合器的溫度將升高。溫度升高將導致耦合器產生結構變形，且當升高的溫度不同時，耦合器產生的結構變形的程度不同，這必然導致耦合器的耦合特性發生改變?，F有技術的耦合器校準方法采用矢量網絡分析儀在常溫下測量小功率的耦合器的耦合度和反射系數，而不考慮耦合器的溫度升高對校準的影響。對中小功率的耦合器，即對平均功率小于IkW的耦合器，耦合器工作時自身的溫度升高對校準的影響較小，現有技術的耦合器校準方法產生的誤差較小。但是，當耦合器的功率大于IkW時，耦合器工作時自身的溫度升高對校準的影響增大，導致現有技術的校準方法無法滿足實際應用的需要。
技術實現思路
本專利技術的目的是針對現有技術的缺陷，提供。本專利技術提供的耦合器校準方法包括如下步驟:利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值；利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定；利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值；計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值。優選地，所述步驟“利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值”包括如下子步驟:利用第一耦合器校準裝置在常溫下測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的第一耦合度常溫測量值和第一反射系數常溫測量值；利用第二耦合器校準裝置在常溫下測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的第二耦合度常溫測量值和第二反射系數常溫測量值；計算待測耦合器的第一耦合度常溫測量值和第二耦合度常溫測量值的平均值并將該平均值作為待測耦合器的耦合度本底值；計算待測耦合器的第一反射系數常溫測量值和第二反射系數常溫測量值的平均值并將該平均值作為待測耦合器的反射系數本底值。優選地，重復所述步驟“利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定”、所述步驟“利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值”、以及所述步驟“計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值”實現對待測耦合器不同溫度的校準。本專利技術具有如下有益效果:(I)本專利技術的校準方法能夠適用于大功率耦合器即功率大于IkW的耦合器的校準；(2)由于本專利技術的校準方法考慮了耦合器的溫度升高對校準的影響，因此本專利技術的校準方法能夠提高大功率耦合器的校準精度。【專利附圖】【附圖說明】圖1為本專利技術實施例提供的耦合器校準方法采用的第一校準裝置的結構示意圖；圖2為本專利技術實施例提供的耦合器校準方法采用的第二校準裝置的結構示意圖；圖3為本專利技術實施例提供的耦合器校準方法的流程圖?！揪唧w實施方式】下面結合附圖及實施例對本專利技術的
技術實現思路
作進一步的描述。如圖1所示，本實施例提供的耦合器校準方法采用的第一校準裝置包括矢量網絡分析儀I和匹配負載2。待測耦合器3的輸出端與矢量網絡分析儀I的輸入端連接；矢量網絡分析儀I的輸出端與待測耦合器3的輸入端連接。匹配負載2與待測耦合器3連接。第一校準裝置即現有技術的耦合器校準裝置。如圖2所示，本實施例提供的耦合器校準方法采用的第二校準裝置包括矢量網絡分析儀1、匹配負載2和高溫箱4。待測耦合器3設于高溫箱3內。待測耦合器3的輸出端依次通過隔熱傳輸線6和同軸電纜5與矢量網絡分析儀I的輸入端連接；矢量網絡分析儀I的輸出端依次通過同軸電纜5和隔熱傳輸線6與待測耦合器3連接。隔熱傳輸線6位于高溫箱4內，且隔熱傳輸線6能夠耐高溫。同軸電纜5位于高溫箱4外。矢量網絡分析儀I用于測量待測耦合器3的耦合度和反射系數。待測耦合器3通過隔熱傳輸線6與匹配負載2連接。在本實施例中，高溫箱4采用例如石英加熱管。隔熱傳輸線6為同軸線或波導線。本實施例提供的耦合器校準方法包括如下步驟:S1:利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器3的耦合度本底值和反射系數本底值；S2:利用高溫箱4將待測耦合器3的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定；S3:利用矢量網絡分析儀I測量待測耦合器3的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器3的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值；S4:計算待測耦合器3的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器3的耦合度真實值；計算待測耦合器3的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器3的反射系數真實值。上述步驟SI進一步包括如下子步驟:S1.1:利用上述第一耦合器校準裝置在常溫下測量待測耦合器3的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器3的第一耦合度常溫測量值和第一反射系數常溫測量值；S1.2:利用上述第二耦合器校準裝置在常溫下測量待測耦合器3的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器3的第二耦合度常溫測量值和第二反射系數常溫測量值；S1.3:計算待測耦合器3的第一耦合度常溫測量值和第二耦合度常溫測量值的平均值并將該平均值作為待測耦合器3的耦合度本底值；計算待測耦合器3的第一反射系數常溫測量值和第二反射系數常溫測量值的平均值并將該平均值作為待測耦合器3的反射系數本底值。需要說明的是，上述步驟S1.1與步驟S1.2的順序可以互換。重復上述步驟S2至步驟S4即可實現對待測耦合器3不同溫度的校準。本實施例的校準方法能夠適用于大功率耦合器即功率大于IkW的耦合器的校準；由于本實施例的校準方法考慮了耦合器的溫度升高對校準的影響，因此本實施例的校準方法能夠提高大功率耦合器的校準精度。此外，本實施例的校準方法也可以用于中小功率即功率小于IkW的耦合器的校準。應當理解，以上借助優選實施例對本專利技術的技術方案進行的詳細說明是示意性的而非限制性的。本領域的普通技術人員在本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種耦合器校準方法，其特征在于，該校準方法包括如下步驟：利用第一耦合器校準裝置和第二耦合器校準裝置測量待測耦合器的耦合度本底值和反射系數本底值；利用高溫箱將待測耦合器的溫度升高至需要的溫度并且保持該溫度穩定；利用矢量網絡分析儀測量待測耦合器的耦合度和反射系數，獲得待測耦合器的耦合度高溫測量值和反射系數高溫測量值；計算待測耦合器的耦合度高溫測量值與耦合度本底值的差值獲得待測耦合器的耦合度真實值；計算待測耦合器的反射系數高溫測量值與反射系數本底值的差值獲得耦合器的反射系數真實值。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：方維海，年豐，張璐，溫鑫，
申請(專利權)人：北京無線電計量測試研究所，
類型：發明
國別省市：