一種高速模式信號檢測電路制造技術

本發(fā)明專利技術公開了一種高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，包括第一級電路、第二級電路，第三級電路、第四級電路以及限幅電路，所述的第一級電路、第二級電路和第三級電路進行電性連接，所述的第四級電路和限幅電路分別設置在第一級電路、第二級電路和第三級電路的下方。通過上述方式，本發(fā)明專利技術具有較好的抗碼間干擾作用，從而能夠很好的，檢測USB2.0的低幅度信號，能夠滿足USB2.0最壞情況要求。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術涉及CMOS (互補金屬氧化物半導體)集成電路設計領域，特別是涉及一種高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測。
技術介紹
USB2.0的(Squelch Detector)信號檢測，按照協(xié)議規(guī)定,在最壞情況下，需要能檢測30%占空比，25mV的信號。30%的占空比相當于信號頻率為1.6GHz，遠高于其480MHz的數(shù)據(jù)頻率。1.6GHz的信號,其ISI (Inter symbol Interference符號間干擾)效應非常明顯。現(xiàn)有的USB2.0信號檢測電路，基本都是針對的是480MHz，反符號間干擾效果比較差，所以很難滿足最壞情況的要求。
技術實現(xiàn)思路
本專利技術主要解決的技術問題是提供一種高速模式信號檢測電路，解決了現(xiàn)有技術中USB2.0信號檢測電路不能滿足USB2.0協(xié)議定義的最壞情況的要求。為解決上述技術問題，本專利技術采用的一個技術方案是:提供一種高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，包括第一級電路、第二級電路，第三級電路、第四級電路以及限幅電路，所述的第一級電路、第二級電路和第三級電路進行電性連接，所述的第四級電路和限幅電路分別設置在第一級電路、第二級電路和第三級電路的下方。在本專利技術一 個較佳實施例中，所述的第一級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管以及兩個電阻，所述的兩個電阻分別與接地端相連接。在本專利技術一個較佳實施例中，所述的第二級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管，所述的第二級電路并聯(lián)于第一級電路和第三級電路之間。在本專利技術一個較佳實施例中，所述的第三級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管以及兩個電阻，所述的兩個電阻分別與接地端相連接。在本專利技術一個較佳實施例中，所述的第四級電路包括串聯(lián)設置的五個PMOS管，其中兩個PMOS管分別與接地端相連接。在本專利技術一個較佳實施例中，所述的限幅電路包括并聯(lián)連接的第一 NMOS管和第二 NMOS 管。本專利技術的有益效果是:本專利技術具有高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，在現(xiàn)有的中USB2.0信號檢測電路的基礎上增加了限幅電路以減少符號間干擾，具有較好的抗碼間干擾作用，從而能夠很好的，檢測USB2.0的低幅度信號，能夠滿足USB2.0最壞情況要求。附圖說明圖1是本專利技術高速模式信號檢測電路一較佳實施例的電路圖；圖2是現(xiàn)有技術中USB2.0信號檢測電路的電路 附圖中的標記如下:M1、第一 NMOS管，M2、第二 NMOS管。具體實施例方式下面結合附圖對本專利技術的較佳實施例進行詳細闡述，以使本專利技術的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本專利技術的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1，本專利技術提供了一種高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，包括第一級電路、第二級電路，第三級電路、第四級電路以及限幅電路，所述的第一級電路、第二級電路和第三級電路進行電性連接，所述的第四級電路和限幅電路分別設置在第一級電路、第二級電路和第三級電路的下方。其中，所述的第一級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管以及兩個電阻，所述的兩個電阻分別與接地端相連接；所述的第二級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管，所述的第二級電路并聯(lián)于第一級電路和第三級電路之間；所述的第三級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管以及兩個電阻，所述的兩個電阻分別與接地端相連接；所述的第四級電路包括串聯(lián)設置的五個PMOS管，其中兩個PMOS管分別與接地端相連接；所述的限幅電路包括并聯(lián)連接的第一 NMOS 管和 Ml 第二 NMOS 管 M2。上述中，第一級電路輸入?yún)⒖茧妷汉徒拥仉妷海龅牡诙夒娐份斎氩罘蛛妷篸p和dn，其中，所述的參考電壓為125mV;接地電壓為O mV;第三級電路輸出diffpp和diffpn信號,所述的第四級電路輸入diffpp和diffpn信號。如圖2所示，現(xiàn)有技術中USB2.0信號檢測電路的電路圖。首先，第一級電路和第二級電路檢測出dp和dn差分電壓對參考電壓的差異；Vl-VIB ^ a # [ (dp-dn) - 1125rnv - Oiriv Ij - a* [(dp-clii) - 125mv]—,其中，a 為放大倍數(shù)，即增益； 第三級電路對Vl-VlB進行放大，使信號到達一定的幅度，cliffpp-diffpn = b* ( Vl-VIB)； 第四級電路把差分輸入變成單端輸出壓制信號，其輸出電平是O或者電源電壓，可以把輸出看作邏輯信號O或I。當輸入信號差分幅度大于125mV時，輸出1，小于125mV時，輸出O ; 當輸出信號頻率比較高的時候，由于diffpp-diffpn的電壓幅度沒有限制，低頻的信號幅度可以放大到很大，遠離共模電平，這樣導致高頻的信號來不及反應，產(chǎn)生碼間干擾，使得不能正常的檢測輸入差分信號是否大于125mV。如圖1所示，在現(xiàn)有的中USB2.0信號檢測電路的基礎上增加了限幅電路。由于diffpp-diffpn的電壓幅度被限幅電路中的第一 NMOS管和Ml第二 NMOS管M2鉗位限制，低頻的信號幅度不會很大。高頻信號來得及反應，不產(chǎn)生碼間干擾，能夠正常的檢測輸入差分信號是否大于125mV。本專利技術揭示的具有高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，在現(xiàn)有的中USB2.0信號檢測電路的基礎上增加了限幅電路以減少符號間干擾，具有較好的抗碼間干擾作用，從而能夠很好的，檢測USB2.0的低幅度信號，能夠滿足USB2.0最壞情況要求。以上所述僅為本專利技術的實施例，并非因此限制本專利技術的專利范圍，凡是利用本專利技術說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的
，均同理包括在本發(fā) 明的專利保護范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，其特征在于，包括第一級電路、第二級電路，第三級電路、第四級電路以及限幅電路，所述的第一級電路、第二級電路和第三級電路進行電性連接，所述的第四級電路和限幅電路分別設置在第一級電路、第二級電路和第三級電路的下方。

【技術特征摘要】
1.一種高速模式信號檢測電路，適用于USB2.0的信號檢測，其特征在于，包括第一級電路、第二級電路，第三級電路、第四級電路以及限幅電路，所述的第一級電路、第二級電路和第三級電路進行電性連接，所述的第四級電路和限幅電路分別設置在第一級電路、第二級電路和第三級電路的下方。2.根據(jù)權利要求1所述的高速模式信號檢測電路，其特征在于，所述的第一級電路包括串聯(lián)設置的三個PMOS管以及兩個電阻，所述的兩個電阻分別與接地端相連接。3.根據(jù)權利要求1所述的高速模式信號檢測電路，其特征在于，所述的第二級電路包...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：關健，
申請(專利權)人：蘇州文芯微電子科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：