一種一次快燒透明微晶磚及其生產工藝制造技術

本發明專利技術公開了一種一次快燒透明微晶磚及其生產工藝，包括坯體；熔塊釉，面釉，發色釉；所述熔塊釉包括：SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、KNaO、BaO、B2O3、ZnO、TiO2；所述面釉包括：SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、KNaO、TiO2；所述發色釉包括：SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO、MgO、KNaO、TiO2。本發明專利技術還公開了一種一次快燒透明微晶磚的生產工藝，一次燒成得到一次快燒透明微晶磚，采用本發明專利技術生產的一次快燒透明微晶磚發色佳，排氣好，平整度好，透明度高，并且成本低，周期短，有利于推廣應用。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種磚塊及其生產工藝，尤其涉及的是一種一次快燒透明微晶磚及其生產工藝。
技術介紹
市場上的一次燒透明微晶磚的燒成周期一般為120分鐘，現有技術生產一次燒透明微晶磚的工藝能源消耗大，產量小。由于利用現有的生產工藝生產一次燒透明微晶磚成本偏高，因此高成本的一次燒透明微晶磚難以普及使用。因此，現有技術還有待于改進和發展。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種一次快燒透明微晶磚及其生產工藝，旨在解決現有技術中生產一次燒透明微晶磚的工藝能源消耗大，產量小，耗時長，成本高的技術問題。本專利技術的技術方案如下:一種一次快燒透明微晶磚，其中，包括: 還體，所述還體為微晶還; 熔塊釉，所述熔塊釉的成分按重量百分比計算包括=SiO2 58.01%-60%、Al2O3 16%_17%、Fe2O3 大于 O 且不大于 0.1%、CaO 7%_8%、MgO 2%-2.5%、KNaO 5%_6%、BaO 2%-2.5%、B2O33%-3.5 %、ZnO 2%-2.5%、TiO2 大于 O 且不大于 0.08% ； 面釉，所述面釉的成分按重量百分比計算包括=SiO2 71.22%-72%、Al2O3 18.22%_19%、Fe2O3大于O且不大于0.18%、CaO大于O且不大于1%、MgO大于O且不大于0.5%、KNaO7.22%-8%、TiO2 大于 O 且不大于 0.1% ； 發色釉，所述發色釉的成分按重量百分比計算包括:Si0266.5%-67.5%、Al2O3 20%_21%、Fe2O3大于O且不大于0.35%,CaO大于O且不大于l%、MgO大于O且不大于l%、KNaO 9%_10%、TiO2大于O且不大于0.2%。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，包括以下步驟: A.制備熔塊:按照熔塊配方選取各種原料，在1500-1520°C高溫下保溫2.5小時，制得熔塊，將熔塊烘干制成干粒； B.制備面釉:按照面釉配方選取各種原料，放入球磨罐中球磨，得到面釉； C.制備發色釉:按照發色釉配方選取各種原料，放入球磨罐中球磨，得到發色釉； D.制備一次快燒透明微晶磚:采用噴釉方式將面釉噴淋到微晶坯上，待面釉干后進行印花，并在花上印一道發色釉，然后再在發色釉上均勻的布上干粒，噴上固定劑并烘干，最后把微晶坯放進輥道窯氧化氣氛下燒成，得到一次快燒透明微晶磚。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，所述步驟A中，干粒的目數為20-80 目。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，所述步驟B中，所述球磨過程中面釉原料、球和水之間的重量比例為1:2:0.6。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，所述步驟B中，面釉的比重為1.50-1.55g/cm3。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，所述步驟C中，所述球磨過程中發色釉原料和印油之間的重量比例為1:1。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，所述步驟D中，印花花網為80-100目通網。所述的一次快燒透明微晶磚的生產工藝，其中，所述步驟D中，燒成溫度為1175-1220°C，燒成周期為60-70分鐘。本專利技術的有益效果:本專利技術提供了一種次快燒透明微晶磚的組分及其生產工藝，所述一次快燒透明微晶磚發色佳，排氣好，平整度好，透明度高，配合本專利技術提供的生產工藝生產，生產周期短，成本低，有利于推廣應用。 附圖說明圖1是本專利技術中一次快燒透明微晶磚的生產工藝的流程圖。具體實施例方式為使本專利技術的目的、技術方案及優點更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實施例對本專利技術進一步詳細說明。本專利技術公開了一種一次快燒透明微晶磚及其生產工藝，其中所述一次快燒透明微晶磚包括:坯體，為了使成品的一次快燒透明微晶磚的排氣性能、平整度和透明度等性能較好，實際生產中，所述坯體為微晶坯，但本專利技術所述的一次快燒透明微晶磚同樣可以采用市面上的全拋釉坯體； 熔塊釉，所述熔塊釉的成分按重量百分比計算包括=SiO2 58.01%-60%、Al2O3 16%_17%、Fe2O3 大于 O 且不大于 0.1%、CaO 7%_8%、MgO 2%-2.5%、KNaO 5%_6%、BaO 2%-2.5%、B2O33%-3.5 %、ZnO 2%-2.5%、TiO2 大于 O 且不大于 0.08% ； 面釉，所述面釉的成分按重量百分比計算包括=SiO2 71.22%-72%、Al2O3 18.22%_19%、Fe2O3大于O且不大于0.18%、CaO大于O且不大于1%、MgO大于O且不大于0.5%、KNaO7.22%-8%、TiO2 大于 O 且不大于 0.1% ； 發色釉，所述發色釉的成分按重量百分比計算包括:Si0266.5%-67.5%、Al2O3 20%_21%、Fe2O3大于O且不大于0.35%,CaO大于O且不大于l%、MgO大于O且不大于l%、KNaO 9%_10%、TiO2大于O且不大于0.2%。本專利技術還公開了一次快燒透明微晶磚的生產工藝，包括以下步驟: A.制備熔塊:按照熔塊配方選取各種原料，在1500-1520°C高溫下保溫2.5小時，制得熔塊，將熔塊烘干制成干粒； B.制備面釉:按照面釉配方選取各種原料，放入球磨罐中球磨，其中料:球:水(wt%)=1:2:0.6，得到面釉； C.制備發色釉:按照發色釉配方選取各種原料，放入球磨罐中球磨，其中料:印油(wt%)=l:1,得到發色釉； D.制備一次快燒透明微晶磚:采用噴釉方式將面釉噴淋到微晶坯上，待面釉干后進行印花，并在花上印一道發色釉，然后再在發色釉上均勻的布上干粒，噴上固定劑并烘干，最后把微晶坯放進輥道窯氧化氣氛下燒成，得到一次快燒透明微晶磚。快燒透明微晶磚的技術難題在于排氣，而排氣分為三個階段:燒結釋放階段，氣泡上升移動階段，氣泡沖破表面階段。在燒結階段坯體表面張力要大，而粘度要小，干粒的半徑要小，這樣有利于干粒燒結使氣體聚齊成氣泡。當氣泡形成以后，氣泡要上升移動，這時需要釉層粘度小和表面張力小，這樣氣泡上移的過程受到的堵礙就小了，便于氣泡上移。當氣泡移到表面后存在壓力會沖破釉層，因為釉層粘度小和表面張力小，氣泡沖破釉層所需要做的功小，有利于氣泡的排出，同時由于氣泡沖破釉層后會留下釉坑，釉層表面張力小和粘度小有利于釉層回流重新填充釉坑，使釉面平整、透明度高。為了滿足快速燒成透明微晶磚的要求，本專利技術采用燒結溫度低，灼減量小，收縮小，游離石英含量低的坯體配方；本專利技術采用的坯料的熱膨脹系數小，隨溫度的變化接近線性關系，有利于坯體的排氣和釉層的排氣。本專利技術所述的熔塊的配方成始熔點高于面釉的使熔點，有利于底釉和干粒的充分反應；并且熔塊高溫時粘度小，表面張力小，排氣效果好。實際生產中，干粒的目數不宜過小，干粒的目數過小導致熔塊始熔點偏低，造成過早的把氣體封在釉層不易排出；干粒的目數也不宜過大，顆粒過大則干粒間的空隙過大，容易造成大氣泡出現，同時也會提高熔融溫度。專利技術人反復試驗后得出，所述步驟A中，干粒的目數為20-80目時效果最佳。本專利技術中的面釉化學活性強，有利于在生產一次快燒透明微晶磚的過程中物理化學反應能迅速進行；本專利技術中的面釉使熔溫度高，有效防止一次快燒透明微晶磚在快速燒成時原料反應滯后，引起釉面產生針孔、氣泡等缺陷；本專利技術本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種一次快燒透明微晶磚，其特征在于，包括：坯體，所述坯體為微晶坯；熔塊釉，所述熔塊釉的成分按重量百分比計算包括：SiO2?58.01%?60%、Al2O3?16%?17%、Fe2O3?大于0且不大于0.1%、CaO?7%?8%、MgO?2%?2.5%、KNaO?5%?6%、BaO?2%?2.5%、B2O3?3%?3.5?%、ZnO?2%?2.5%、TiO2大于0且不大于0.08%；面釉，所述面釉的成分按重量百分比計算包括：SiO2?71.22%?72%、Al2O3?18.22%?19%、Fe2O3大于0且不大于0.18%、CaO大于0且不大于1%、MgO大于0且不大于0.5%、KNaO?7.22%?8%、TiO2大于0且不大于0.1%；發色釉，所述發色釉的成分按重量百分比計算包括：SiO266.5%?67.5%、Al2O3?20%?21%、Fe2O3大于0且不大于0.35%、CaO大于0且不大于1%、MgO大于0且不大于1%、KNaO?9%?10%、TiO2?大于0且不大于0.2%。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：何維恭，賀彥榮，吳家洪，
申請(專利權)人：佛山瑭虹釉料科技有限公司，廣東偉邦微晶科技有限公司，
類型：發明
國別省市：