一種紅外-太赫茲雙波段陣列探測器微橋結(jié)構(gòu)及其制備方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種紅外-太赫茲雙波段陣列探測器微橋結(jié)構(gòu)及其制備方法，用于紅外與太赫茲波段的探測與成像。所述微橋結(jié)構(gòu)的頂層為雙層氧化釩薄膜，下層氧化釩薄膜為具有高電阻溫度系數(shù)（TCR）的無相變氧化釩薄膜，用作紅外與太赫茲波段的敏感層，上層氧化釩薄膜具有較低的相變溫度，可發(fā)生半導(dǎo)體相-金屬相的可逆相變，半導(dǎo)體相時(shí)與下層氧化釩薄膜一起用作紅外吸收層，相變?yōu)榻饘傧嗪笥米魈掌澼椛湮諏印＠梦蚪Y(jié)構(gòu)的諧振可充分吸收紅外輻射，調(diào)節(jié)金屬相氧化釩薄膜的電導(dǎo)率、折射率等光電參數(shù)，又可實(shí)現(xiàn)對(duì)太赫茲輻射吸收的最大化。該微橋結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)雙波段探測與成像，制備工藝簡單，與MEMS工藝兼容，具有廣闊的應(yīng)用前景。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
紅外?太赫茲雙波段陣列探測器微橋結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括襯底（10）、驅(qū)動(dòng)電路（20）、犧牲層（30），所述驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置在襯底（10）上，該驅(qū)動(dòng)電路（20）設(shè)有電路接口（21）；所述犧牲層（30）制備在該帶有驅(qū)動(dòng)電路的襯底上，在驅(qū)動(dòng)電路上由下而上依次制備有緩沖層（40）、支撐層（50）、頂部電極（60），該頂部電極與所述電路接口連接；在該頂部電極和支撐層上由下而上依次制備有下層氧化釩薄膜和上層氧化釩薄膜。

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：茍君，蔣亞東，張化福，王軍，黎威志，
申請(專利權(quán))人：電子科技大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：