【技術實現步驟摘要】
本技術涉及到一種均流電抗器。
技術介紹
現有IGBT模塊的并聯是采用“半心”電抗器，電抗器在電路中增大了功率換流回路的阻抗，電抗器可以實現各模塊間的均流以及增大功率換流回路的阻抗，從而忽略掉各種雜散參數影響。但是由于半心電抗器制作工藝無法管控，導制各半心電抗器的感量偏差過大(超過百分之十)，從而未能達到預想的均流效果。技術的內容本技術的目的在于提供一種均流電抗器的感量偏差減小且并聯IGBT模塊間的均流偏差控制在百分之五以內。本技術的技術方案:一種均流電抗器，所述均流電抗器是由二個U型硅鋼磁心相連而成；所述的均流電抗器是一匝的單相電抗器；所述的均流電抗器中間用絕緣膜隔開。本技術的優點:使用均流電抗器即匝數為一匝的單相電抗器來替代現有的半心電抗器。電抗器的制作工藝很好管控，使得各均流電抗器間電感量的偏差很小，達到很好均流的效果。附圖說明圖1是本技術的結構示意圖；圖中，I是均流電抗器，2是U型硅鋼磁心。具體實施方式如圖1，均流電抗器I是由二個U型磁心相連而成。U型磁心使得電抗器的制作工藝較之心型磁心容易管控，使得均流電抗器間的電感量偏差很小，達到很好均流的效果。均流電抗器I中間用一定規格尺寸的絕緣膜隔開，就如同圖1所示，再將其結構固定好。權利要求1.一種均流電抗器，其特征在于:所述均流電抗器是由二個U型硅鋼磁心相連而成，所述的均流電抗器是一匝單相電抗器，所述的均流電抗器中間用絕緣膜隔開。專利摘要一種均流電抗器，所述均流電抗器是由二個U型硅鋼磁心相連而成；所述的均流電抗器是一匝的單相電抗器；所述的均流電抗器中間用絕緣膜隔開。本技術的優點使用均流電抗器即匝數為一匝...
【技術保護點】
一種均流電抗器，其特征在于：所述均流電抗器是由二個U型硅鋼磁心相連而成，所述的均流電抗器是一匝單相電抗器，所述的均流電抗器中間用絕緣膜隔開。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：汪長春，陳林，邱亮，
申請(專利權)人：浙江海得新能源有限公司，
類型：實用新型
國別省市：
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