一種無邊緣效應的中心回線TEM全期真電阻率計算方法技術

本發明專利技術公開了一種無邊緣效應的中心回線TEM全期真電阻率計算方法，從載流點微元的圓形回線電場公式出發，根據電場、磁場、感生電動勢之間的關系、解決了中心點外場點解析求解困難的問題；根據電阻率勘探中的相對概念，應用大宗量Bessel函數的漸進式，解決了含Bessel函數積分的計算問題。本發明專利技術包括以下步驟：獲得任意場點感生電動勢解析表達式的步驟；獲得任意場點單Bessel函數的感生電動勢解析表達式的步驟；將任意場點單Bessel函數的感生電動勢解析公式代入反演程序，獲得無邊緣效應的中心回線TEM真電阻率的步驟。該方法從根本上消除了邊緣效應的影響，提高了對地下地質結構的正判率，可應用于中心回線TEM資料的處理與解釋，提高解釋精度。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種無邊緣效應的中心回線TEM全期真電阻率計算方法，其特征在于包括以下步驟：步驟一，獲得中心回線TEM任意場點垂直磁場解析表達式在圓柱坐標系中，當回線中點與坐標原點重合時，大地表面上中心回線TEM電場Eθ的頻率域表達式為Eθ(r,ω)=-jωμ0I(ω)a∫0∞Rn(λ,ω)J1(λa)J1(λr)dλ---(1)式中r為地面上一點到坐標原點距離；ω＝2πf為圓頻率，其中f為頻率；μ0＝4π×10?7H/m為非磁性大地磁導率；I為發射電流，a為發射回線半徑；J1為1階Bessel函數，Rn層狀大地表面上的總反射系數；利用Maxwell旋度方程▿×E=-jωμ0H---(2)得垂直分量的磁場HzHz=1r∂∂r(rEθ)=I(ω)ar∫0∞Rn(λ,ω)J1(λa)[λJ0(λr)-1rJ1(λr)]dλ---(3)式（3）中J0是0階Bessel函數；步驟二，獲得任意場點單Bessel函數的感生電動勢解析表達式對于普遍應用的a＝600m~800m的大發射回線，利用Bessel函數的漸進式J1(x)≈2πxcos(x-3π4)(x→∞)---(4)將公式（4）代入公式（3）hz(t)≈I(ω)ar2πa∫0∞Rn(λ,ω)1λcos(λa-3π4)[λJ0(λr)-1rJ1(λr)]dλ---(5)對公式（5）做逆Laplace變換，得到時間域形式實測感生電動勢V(t)和hz(t)的關系為V(t)=∂∂thz(t)---(7)將公式（6）代入公式（7）后得任意場點單Bessel函數的感生電動勢解析表達式步驟三，將公式（8）代入反演程序中，即獲得無邊緣效應的中心回線TEM的全期真電阻率。FDA00002805348100016.jpg,FDA00002805348100018.jpg...

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發人員：閆述，
申請(專利權)人：江蘇大學，
類型：發明
國別省市：