【技術實現步驟摘要】
【技術保護點】
一種陷光結構氮化硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：a）清洗石英玻璃（1）；b）將石英玻璃與氮化硅靶材（3）上、下對應地固定在鍍膜設備內，所述鍍膜設備具有充氣口與抽真空口；c）對所述鍍膜設備進行抽真空直至其壓強優于2.1×10?4Pa；d）對所述鍍膜設備充入Ar作為濺射氣體；e）所述氮化硅靶材（3）與石英玻璃（1）之間設置永磁鐵（2），磁場方向豎直向上。f）石英玻璃（1）下表面形成陷光結構的氮化硅薄膜。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：江強，郭雪梅，周細應，毛秀娟，陳明，邵佳佳，楊秋杰，
申請(專利權)人：上海工程技術大學，
類型：發明
國別省市：
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