氮化物半導體晶片制造技術

本發明專利技術提供一種氮化物半導體晶片，在對氮化物半導體晶體進行背面磨削、外周磨削（倒角）、表面磨削及研磨來形成鏡面晶片時，翹曲小，不產生裂紋，基板制作工藝成品率高，設備面內成品率高。利用含有0～40重量%的氧化物砂粒的橡膠磨石或發泡樹脂結合劑磨石，對氮化物半導體晶片外周部進行倒角，在外周部保留厚度為0.5μm～10μm的加工變性層。

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種氮化物半導體晶片，其特征在于，在外周部具有倒角部，在外周部的倒角部殘留有作為晶體結構變形的層的加工變性層，所殘留的所述加工變性層的厚度為0.5μm～10μm，所述外周部的倒角部的金屬量為0.1at%～5at%，并且表面為鏡面。

【技術特征摘要】
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【專利技術屬性】
技術研發人員：石橋惠二，三上英則，松本直樹，
申請(專利權)人：住友電氣工業株式會社，
類型：發明
國別省市：