【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】用于核控制桿的具有開孔的固態界面接頭
本專利技術涉及一種在核反應堆中使用的控制桿中的芯塊堆與圍繞它們的包殼之間的界面。用于本專利技術的目標應用包括:-氣冷(RNR-gaz)快速反應堆(RNR)指的是以諸如加壓氦氣的氣體的形式冷卻劑操作的第IV代反應堆,并且使用具有由陶瓷基復合(CMC)材料制成的包殼以及混合的鈾和钚碳化物型燃料芯塊的核燃料桿[9];-快速中子反應堆通過鈉冷卻劑(RNR-Na)操作[12];-加壓水反應堆(REP)[3]或者沸水反應堆(REB)。本專利技術涉及一種用于能量反應堆的控制桿,其中芯塊由B4C中子吸收材料[8],[5]制成。貫穿該應用,術語《核反應堆》具有如在目前所理解的通常含義,即利用其中發生裂變反應以釋放通過與冷卻它們的冷卻流體熱交換而從元件獲得的熱能的燃料元件用于根據核裂變反應產生能量的發電廠。貫穿該應用,《核控制桿》(或《吸收劑》)具有例如在DictionnairedesSciencesetTechniquesnucléaires(核科學與技術辭典)中定義的其官方含義,即包含中子吸收材料的桿并且該桿根據其在堆芯中的位置對核反應堆的反應性具有影響。
技術介紹
根據核反應堆的操作條件和性能存在不同類型的控制桿。通過核控制桿執行的主要功能是:●通過核反應使中子能夠受控地吸收,其施加性能約束(吸收核的密度)與安全約束(對于核反應性和冷卻的控制必要的幾何穩定性),●確保通過核反應釋放的能量的受控的提取,這施加性能約束(可能使到冷卻劑的傳送變差的熱障的限制)和安全約束(冷卻劑通道的完整性、在吸收劑的熔化以前的裕度、產生可能導致在結構上的 ...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.06.16 FR 10547811.一種沿著縱向方向(XX’)延伸的核控制桿,該核控制桿包括由碳化硼B4C中子吸收材料制成的以列的形式堆疊在彼此上的多個芯塊(5),以及圍繞所述芯塊的列的包殼(1),其中,所述包殼和所述芯塊具有與所述縱向方向(XX’)橫切的圓形橫截面,并且其中同樣具有與所述縱向方向(XX’)橫切的圓形橫截面的由對于中子透明的材料制成的界面接頭(3)至少在所述列的高度上被插入在所述包殼與所述芯塊的列之間,其中所述界面接頭是這樣的結構:其從所述包殼(1)以及從所述芯塊(5)的列機械地解耦,具有高的熱傳導率和開孔,適于通過橫跨其厚度壓縮而變形以便在輻射下在所述芯塊的三維膨脹的作用下被壓縮,所述接頭的初始厚度和其壓縮比率使得在輻射下通過所述芯塊傳送到所述包殼的機械載荷保持小于預定閾值,其特征在于所述界面接頭由穗帶制成,所述穗帶包括多個碳纖維層以及包括疊加在所述碳纖維層上的碳化硅纖維的多個層。2.一種沿著縱向方向(XX’)延伸的核控制桿,該核控制桿包括由碳化硼B4C中子吸收材料制成的以列的形式堆疊在彼此上的多個芯塊(5),以及圍繞所述芯塊的列的包殼(1),其中,所述包殼和所述芯塊具有與所述縱向方向(XX’)橫切的圓形橫截面,并且其中同樣具有與所述縱向方向(XX’)橫切的圓形橫截面的由對于中子透明的材料制成的界面接頭(3)至少在所述列的高度上被插入在所述包殼與所述芯塊的列之間,其中所述界面接頭是這樣的結構:其從所述包殼(1)以及從所述芯塊(5)的列機械地解耦,具有高的熱傳導率和開孔,適于通過橫跨其厚度壓縮而變形以便在輻射下在所述芯塊的三維膨脹的作用下被壓縮,所述接頭的初始厚度和其壓縮比率使得在輻射下通過所述芯塊傳送到所述包殼的機械載荷仍小于預定閾值,其特征在于所述界面接頭由一個或幾個碳纖維層制成。3.一種沿著縱向方向(XX’)延伸的核控制桿,該核控制桿包括由碳化硼B4C中子吸收材料制成的以列的形式堆疊在彼此上的多個芯塊(5),以及圍繞所述芯塊的列的包殼(1),其中,所述包殼和所述芯塊具有與所述縱向方向(XX’)橫切的圓形橫截面,并且其中同樣具有與所述縱向方向(XX’)橫切的圓形橫截面的由對于中子透明的材料制成的界面接頭(3)至少在所述列的高度上被插入在所述包殼與所述芯塊的列之間,其中所述界面接頭是這樣的結構:其從所述包殼(1)以及從所述芯塊(5)的列機械地解耦,具有高的熱傳導率和開孔,適于通過橫跨其厚度壓縮而變形以便在輻射下在所述芯塊的三維膨脹的作用下被壓縮,所述接頭的初始厚度和其壓縮比率使得在輻射下通過所述芯塊傳送到所述包殼的機械載荷仍小于預定閾值,其特征在于所述界面接頭由一種或幾種基于碳的蜂窩狀材料制成。4.根據權利要求1、2或3所述的核控制桿,其中所述界面接頭的開孔具有等于在制造中生產的界面接頭總體積的至少30%的體積。5.根據權利要求4所述的核控制桿,其中所述界面接頭的開孔具有在制造中生產的界面接頭總體積的30%與95%之間的體積。6.根據權利要求5所述的核控制桿,其中所述界面接頭的開孔具有在制造中生產的界面接頭總體積的50%與85%之間的體積。7.根據權利要求1-3中任一項所述的核控制桿,其中所述界面接頭在其與所述縱向方向(XX’)橫切的截面中的厚度大于所述芯塊的半徑的至少10%。8.根據權利要求1所述的核控制桿,其中所述界面接頭具有在15%與50%之間的纖維的體積百分比。9.根據權利要求1-3中任一項所述的核控制桿,其中所述核控制桿用于氣冷快速反應堆(GFR),所述包殼的基礎材料是耐火性陶瓷基復合材料(CMC),并且所述芯塊由B4C制成。10.根據權利要求1-3中任一項所述的核控制桿,其中所述核控制桿用于鈉冷快速反應堆(SFR),所述包殼由金屬材料制成,并且所述芯塊由B4C制成。11.根據權利要求1-3中任一項所述的核控制桿,其中所述核控...
【專利技術屬性】
技術研發人員:馬克西姆·扎別戈,帕特里克·大衛,阿蘭·拉弗內,丹尼斯·羅謝,
申請(專利權)人:原子能與替代能源委員會,
類型:
國別省市:
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