本發明專利技術提供可以小的壓力得到寬的連接面積的導電性微粒子。另外，本發明專利技術的目的在于提供含有如上述那樣的導電性微粒子的各向異性導電材料。進而，提供可適合用作這樣的導電性微粒子的芯材的聚合物微粒子。本發明專利技術的聚合物微粒子的特征在于破壞點荷重為9.8mN（1.0gf）以下。本發明專利技術的導電性微粒子的特征在于在上述聚合物微粒子表面具有導電性金屬層。本發明專利技術的各向異性導電材料的特征在于含有上述導電性微粒子。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及聚合物微粒子及在該聚合物微粒子表面形成導電性金屬層的導電性微粒子、以及含有該導電性微粒子的各向異性導電材料。
技術介紹
電子儀器，在逐年小型化、薄型化的同時正在謀求高功能化。因此，例如液晶顯示板的ITO (氧化銦錫)電極與驅動用的LSI (Large Scale Integration)的連接、LSI芯片與電路基板的連接、微細型電極端子間的連接等的電子儀器類的微小部位間的電連接，采用使用了含有導電性微粒子的各向異性導電材料的電連接。提出各種在這樣的電連接中所使用的導電性微粒子的方案。例如提出了以下方案:施加壓縮荷重時，壓縮變形率在5 40%的范圍內，具有壓縮變形率急劇增加的拐點的導電性微粒子(參照專利文獻1(權利要求1));導電材料附著在樹脂粒子的表面的導電性粒子，所述樹脂粒子為以丙烯酸樹脂作為主成分、最大壓縮變形率為60%以上、60%壓縮變形所需要的荷重為60mN以下的樹脂粒子(參照專利文獻2 (權利要求13)); 10%壓縮位移時的壓縮強度為7.0kgf/mm2 (68.6N/mm2)以下的導電粒子(參照專利文獻3 (權利要求1));均聚物的玻璃化轉變溫度(Tg)為-70°C以上的、在芯材粒子表面形成導電層的導電性粒子，所述芯材粒子由具有(甲基)丙烯酸系單體所衍生的重復單元的(甲基)丙烯酸系(共)聚合物構成(參照專利文獻4 (權利要求1))。現有技術文獻專利文獻專利文獻1:特開平11-73817號公報專利文獻2:國際公開第2003/104285號專利文獻3:特開平9-199206號公報專利文獻4:特開平8-319467號公報
技術實現思路
如上所述，作為導電性微粒子，使用在形成芯材的聚合物微粒子的表面形成了導電性金屬層的粒子。在這里，形成芯材的粒子為硬質的情況下，加壓連接電極等時將導電性微粒子壓入粘附體，增加可形成壓痕的連接面積。另外，在加壓連接時，容易排除存在于導電性微粒子與粘附體之間的粘合劑樹脂。但是，將這樣的硬質的粒子作為芯材的導電性微粒子，為了得到更大的連接面積，在加壓連接時需要更大的壓力。本專利技術鑒于所述情況而完成，目的在于提供以小的壓力可得到寬的連接面積的導電性微粒子。另外，本專利技術的目的在于提供含有如上述那樣的導電性微粒子的各向異性導電材料。進而，本專利技術的目的在于提供能夠適合用作上述那樣的導電性微粒子的芯材的聚合物微粒子。能夠解決所述課題的本專利技術的聚合物微粒子，其特征在于破壞點荷重為9.8mN(1.0gf)以下。將破壞點荷重為9.8mN以下的本專利技術的聚合物微粒子作為芯材的導電性微粒子，以小的壓力破壞芯材并在垂直于壓縮方向的方向上容易擴張，因此能夠以小的壓力得到大的連接面積。所述聚合物微粒子的10%K值優選為7350N/mm2 (750kgf/mm2) 49000N/mm2(5000kgf/mm2)o像這樣聚合物微粒子具有高壓縮彈性率,能使連接電阻值更低。所述聚合物微粒子的平均粒徑優選為0.5 μ m 12 μ m。所述聚合物微粒子的破壞壓縮位移優選為25%以上。另外，所述聚合物微粒子的30%位移時的壓縮荷重優選為1.96mN(0.2gf)以上。本專利技術還包括在所述聚合物微粒子表面具有導電性金屬層的導電性微粒子、以及含有該導電性微粒子的各向異性導電材料。通過本專利技術，能夠得到能夠以小的壓力達成寬的連接面積的導電性微粒子。另外，通過使用含有該導電性微粒子的各向異性導電材料，即使在低壓條件下進行連接時，也能夠得到連接電阻值低的連接結構體。附圖說明 圖1為表示聚合物微粒子N0.2、7的位移-荷重曲線。圖2為表示聚合物微粒子N0.5、8的位移-荷重曲線。圖3為表示聚合物微粒子N0.12、13的位移-荷重曲線。具體實施例方式1.聚合物微粒子1-1.機械的特性本專利技術的聚合物微粒子，其特征在于破壞點荷重為9.SmN (1.0gf)以下。聚合物微粒子在負荷壓縮荷重時在壓縮方向上縮小，在相對于壓縮方向垂直的方向上擴張。此時，與聚合物微粒子未被破壞而僅進行彈性變形的情況相比，聚合物微粒子被破壞的一方在垂直于壓縮方向的方向上的擴張變得更大。即，將破壞點荷重為9.SmN以下的本專利技術的聚合物微粒子作為芯材的導電性微粒子，以小的壓力破壞芯材并在垂直于壓縮方向的方向上容易擴張，因此，能夠以小的壓力得到大的連接面積。所述破壞點荷重優選為7.84mN (0.8gf)以下，更優選為6.86mN (0.7gf)以下。另一方面，所述破壞點荷重優選為0.98mN (0.1gf)以上，更優選為1.96mN (0.2gf)以上，進一步優選為2.94mN (0.3gf)以上。另外，所謂破壞點荷重，是將聚合物微粒子壓縮變形時，在聚合物微粒子破壞的時點的壓縮荷重值，測定方法后述。本專利技術的聚合物微粒子，破壞壓縮位移優選為25%以上，更優選為30%以上，進一步優選為大于30%，優選為50%以下，更優選為48%以下，進一步優選為46%以下。破壞壓縮位移在所述范圍內，能平衡良好地兼顧對于粘附體形成壓痕的壓痕形成能和加壓連接時的連接面積。另外，所謂破壞壓縮位移，是在將聚合物微粒子壓縮變形時，在聚合物微粒子破壞的時點的壓縮位移，測定方法后述。本專利技術的聚合物微粒子的10%壓縮荷重優選為0.588mN (0.06gf)以上，更優選為0.686mN (0.07gf)以上，進一步優選為 0.784mN (0.08gf)以上，優選為 1.960mN (0.2gf)以下，更優選為1.764mN (0.18gf)以下，進一步優選為1.568mN (0.16gf)以下。10%壓縮荷重為所述范圍內時，使用聚合物微粒子作為導電性微粒子用的基材粒子的情況下，能夠在電極等的被連接介質上形成壓痕的同時能夠確保實用上沒有問題的連接面積。聚合物微粒子的10%壓縮荷重，優選為根據期望的特性進行適當地調節。例如特別是要使通過導電性微粒子得到的連接面積較大的情況下，聚合物微粒子10%壓縮荷重優選為0.588mN (0.06gf)以上，更優選為0.686mN (0.07gf)以上，進一步優選為0.784mN(0.08gf)以上，優選為1.078mN (0.1lgf )以下，更優選為0.98mN (0.1Ogf )以下，進一步優選為0.88mN (0.09gf)以下。聚合物微粒子的10%壓縮荷重越小，即使未達到破壞的彈性變形，在垂直于壓縮方向的方向上的擴張也越大。因此，沒有破壞而殘存的導電性微粒子的變形量也變大，因此作為整體得到的連接面積變得更大。另一方面，對于導電性微粒子，特別在要提高壓痕形成能的情況下，聚合物微粒子10%壓縮荷重優選為大于1.078mN (0.1lgf )，更優選為1.176mN (0.12gf)以上，進一步優選為 1.274mN (0.13gf)以上，優選為 1.960mN (0.2gf)以下，更優選為 1.764mN (0.18gf)以下，進一步優選為1.568mN (0.16gf)以下。聚合物微粒子的10%壓縮荷重越大，變形初期的抵抗力越大，因此對于粘附體形成壓痕的力變大。另外，所謂10%壓縮荷重，是為了將聚合物微粒子進行10%壓縮變形所必需的荷重。本專利技術的聚合物微粒子的30%壓縮荷重，優選為1.96mN (0.20gf)以上，更優選為2.45m本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】2010.08.11 JP 2010-180616;2011.02.08 JP 2011-025431.一種聚合物微粒子，其特征在于，所述聚合物微粒子的破壞點荷重為9.8mN (1.0gf)以下。2.根據權利要求1所述的聚合物微粒子，其中，所述聚合物微粒子的10%K值為7350Ν/mm2 (750kgf/mm2) 49000N/mm2 (5000kgf/mm2)。3.根據權利要求1或2所述的聚合物微粒...
【專利技術屬性】
技術研發人員：松本和明，
申請(專利權)人：株式會社日本觸媒，
類型：
國別省市：
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。