低相位噪聲壓控振蕩器制造技術

本發明專利技術公開了一種低相位噪聲壓控振蕩器，包括負阻電路模塊、差分耦合電感電容諧振腔和源級反饋電感。耦合電感電容諧振腔用以提高諧振腔的有效品質因數，源級反饋電感與諧振腔電感之間的磁耦合作為反饋以增加諧振腔輸出信號的振幅，負阻電路模塊采用電流復用結構以降低功耗并去除共模節點的二次諧波對相位噪聲的惡化。本發明專利技術低相位噪聲壓控振蕩器可有效降低相位噪聲。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術屬于射頻無線接收機集成電路
，具體涉及一種低相位噪聲壓控振蕩器。
技術介紹
壓控振蕩器是通信系統中用于產生本振信號的模塊，其性能直接決定通信系統的性能。相位噪聲作為壓控振蕩器的一個主要性能指標，影響著接收機的靈敏度和發射機的臨近信道干擾。因此設計一個低相位噪聲的壓控振蕩器對現代無線通信系統顯的尤為重要。壓控振蕩器的實現形式主要有環形振蕩器和電感電容壓控振蕩器。環形振蕩器由于相位噪聲性能較差，主要被用于產生片上時鐘信號。而電感電容壓控振蕩器由于其良好的相位噪聲性能而廣泛應用于無線通信領域。根據D.B.Lesson相位噪聲模型公式，電感電容壓控振蕩器的相位噪聲L(Af)可表示為:

【技術保護點】
一種低相位噪聲壓控振蕩器，其特征是：包括負阻電路模塊、差分耦合電感電容諧振腔，其中：負阻電路模塊包括PMOS管Mp、NMOS管Mn、兩個電感值相等的源級反饋電感Ls1和Ls2；電源VDD串聯源級反饋電感Ls1后連接PMOS管Mp的源極，NMOS管Mn的源極串聯源級反饋電感Ls2后接地，PMOS管Mp的柵極連接NMOS管Mn的漏極作為輸出端Vp，NMOS管Mn的柵極連接PMOS管Mp的漏極作為輸出端Vn；差分耦合電感電容諧振腔包括差分電感Ld和差分電感Lc以及兩個可變電容Cv；差分電感Ld由電感Ld1與電感Ld2串聯組成，且電感Ld1與電感Ld2的電感值相等，電感Ld1與電感Ld2未連接在一起的一端分別與負阻電路模塊輸出端Vp與輸出端Vn連接；差分電感Lc由電感Lc1與電感Lc2串聯組成，且電感Lc1與電感Lc2的電感值相等，電感Lc1與電感Lc2對接端與直流偏置電壓Vb相連；兩個可變電容Cv背靠背對接，對接端與模擬調諧電壓Vctrl相連，兩個可變電容Cv未連接在一起的一端分別與電感Lc1與電感Lc2未連接在一起的一端連接。

【技術特征摘要】
1.一種低相位噪聲壓控振蕩器，其特征是:包括負阻電路模塊、差分耦合電感電容諧振腔，其中: 負阻電路模塊包括PMOS管Mp、NMOS管Mn、兩個電感值相等的源級反饋電感Lsl和Ls2 ；電源VDD串聯源級反饋電感Lsl后連接PMOS管Mp的源極，NMOS管Mn的源極串聯源級反饋電感Ls2后接地，PMOS管Mp的柵極連接NMOS管Mn的漏極作為輸出端Vp，NMOS管Mn的柵極連接PMOS管Mp的漏極作為輸出端Vn ； 差分耦合電感電容諧振腔包括差分電感Ld和差分電感L。以及兩個可變電容Cv ;差分電感Ld由電感Ldl與電感Ld2串聯組成，且電感Ldl與電感Ld2的電感值相等，電感Ldl與電感Ld2未連接在一起的一端分別與負阻電路模塊輸出端Vp與輸出端Vn連接；差分電感L。由電感Lca與電感Le2串聯組成，且...

【專利技術屬性】
技術研發人員：樊祥寧，李斌，王加鋒，施曉陽，王志功，
申請(專利權)人：東南大學，
類型：發明
國別省市：