壓控振蕩器的偏置電路制造技術

本實用新型專利技術公開了一種壓控振蕩器的偏置電路，包括第一組電流鏡、第二組電流鏡；第一組電流鏡包括第一MOS管、第二MOS管，第一MOS管、第二MOS管為類型相同；第二組電流鏡包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管與第一MOS管、第二MOS管類型相反；第五MOS管的柵極、漏極與第六MOS管的柵極及第二MOS管的漏極相連；第五MOS管的源極與第三MOS管的漏極、柵極以及第六MOS管的源極相連；第六MOS管的漏極與第四MOS管的柵極及第七MOS管的柵極相連；第七MOS管的源極、漏極與第三MOS管的源極及第四MOS管的源極接電源電壓；第四MOS管的漏極接壓控振蕩器。本實用新型專利技術的壓控振蕩器的偏置電路，能減小器件的尺寸。（*該技術在2022年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

【技術保護點】
一種壓控振蕩器的偏置電路，偏置電路包括第一組電流鏡、第二組電流鏡；所述第一組電流鏡包括第一MOS管、第二MOS管，第一MOS管、第二MOS管為類型相同的晶體管；所述第二組電流鏡包括第三MOS管、第四MOS管，第三MOS管、第四MOS管為與第一MOS管、第二MOS管類型相反的晶體管；所述第一MOS管的柵極、漏極及所述第二MOS管的柵極接基準電流源，所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極接地；其特征在于：所述第二組電流鏡還包括第五MOS管、第六MOS管和第七MOS管，所述第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管為與第一MOS管、第二MOS管類型相反的晶體管；所述第五MOS管的柵極、漏極與所述第六MOS管的柵極及所述第二MOS管的漏極相連；所述第五MOS管的源極與所述第三MOS管的漏極、柵極以及所述第六MOS管的源極相連；所述第六MOS管的漏極與所述第四MOS管的柵極以及所述第七MOS管的柵極相連；所述第七MOS管的源極、漏極與所述第三MOS管的源極以及所述第四MOS管的源極接電源電壓；所述第四MOS管的漏極用于和壓控振蕩器相連。

【技術特征摘要】

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：盛懷茂，陳敏強，
申請(專利權)人：漢凌微電子上海有限公司，
類型：實用新型
國別省市：