【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及觸摸屏行業,主要應用在電容屏方面,主要是指一種消影高透過率OGS(One glass solution)用玻璃及其制造方法。
技術介紹
現有OGS用玻璃的一種結構為:Glass/BM/IT0(氧化銦錫),其中BM為絕緣邊框,ITO是導電層,這種結構在蝕刻成圖案以后,ITO電極線看的非常明顯,影響觸摸屏的外觀。另一種OGS用ITO導電玻璃的結構為:Glass/BM//Nb2o5/Si02/IT0,其中BM為絕緣邊框,ITO是導電層,作為觸摸屏的電極及傳感層,Nb2o5/Si02層為消影層,其主要功能是消除ITO蝕刻后的痕跡,有ITO和沒有ITO的地方膜層反射率在0.5%以內,這樣在人的視覺來看,在顯示屏上不容易看見ITO線條。但是以上兩種玻璃在做成觸摸屏后,第一種的ITO線條能夠很清晰的看到,第二種雖然ITO線條經過消影層已經淡化,但是兩種產品在太陽強光下,由于整個膜層的透過率比較低,只有88%左右,如果電阻值更低的話,透過率還會更低,導致反射率高,因此在強光下很難看清楚屏幕上的圖案。傳統觸摸屏是由兩片玻璃對貼組成(一片玻璃做為觸摸傳感器,一片玻璃做為保護玻璃,稱為G/G結構),這樣增加了觸摸屏的厚度和重量;
技術實現思路
本專利技術解決上述問題提供一種減輕了重量,提高了透光率,消除了 ITO導電線條底影的觸摸屏及制作方法。為解決上述問題,本專利技術通過以下方案來實現:一種消影高透過率OGS用玻璃,該OGS用玻璃為單片玻璃結構,同時起到保護玻璃和觸摸傳感器的雙重作用,其包括基板、絕緣邊框、功能層、ITO導電膜,該絕緣邊框、功能層、ITO導電膜都通 ...
【技術保護點】
一種消影高透過率OGS用玻璃,其特征在于:該OGS用玻璃為單片玻璃結構,同時起到保護玻璃和觸摸傳感器的雙重作用,其包括基板(1)、絕緣邊框(2)、功能層、ITO導電膜(3),該絕緣邊框(2)、功能層、ITO導電膜(3)都通過鍍膜技術鍍在基板(1)上,功能層是由五氧化二鈮膜(4)和二氧化硅膜(5)兩種膜組成,功能層都是通過先鍍一層五氧化二鈮膜(4),后鍍一層二氧化硅膜(5)。
【技術特征摘要】
1.種消影高透過率OGS用玻璃,其特征在于:該OGS用玻璃為單片玻璃結構,同時起到保護玻璃和觸摸傳感器的雙重作用,其包括基板(I)、絕緣邊框(2)、功能層、ITO導電膜(3),該絕緣邊框(2)、功能層、ITO導電膜(3)都通過鍍膜技術鍍在基板⑴上,功能層是由五氧化二鈮膜(4)和二氧化硅膜(5)兩種膜組成,功能層都是通過先鍍一層五氧化二鈮膜(4),后鍍一層二氧化娃膜(5)。2.據權利要求1所述的一種消影高透過率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面鍍有絕緣邊框(2),所述絕緣邊框(2)上鍍有五氧化二鈮膜(4),五氧化二鈮膜(4)鍍有二氧化娃膜(5),該二氧化娃膜(5)鍍有ITO導電膜(5),該基板⑴的后表面鍍有五氧化二鈮膜(4),五氧化二鈮膜(4)鍍有二氧化硅膜(5)。3.據權利要求1所述的一種消影高透過率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面鍍有五氧化二銀膜(4),五氧化二銀膜(4)鍍有二氧化娃膜(5), 二氧化娃膜(5)鍍有絕緣邊框(2),該絕緣邊框(2)鍍有ITO導電膜(3),該基板(I)的后表面鍍有五氧化二鈮膜(4),五氧化二鈮膜(4)鍍有二氧化硅膜(5)。4.據權利要求1所述的一種消影高透過率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面鍍有五氧化二銀膜(4),五氧化二銀膜(4)鍍有二氧化娃膜(5), 二氧化娃膜(5)鍍有ITO導電膜(3),該ITO導電膜(3)鍍有絕緣邊框(2),該該基板I)的后表面鍍有五氧化二鈮膜(4),五氧化二鈮膜(4)鍍有二氧化硅膜(5)。5.據權利要求2或3或4所述的一種消影高透過率OGS用玻璃,其特征在于:所述基板(I)的前表面鍍有的功能層為消影功能層,后表面鍍有的功能層為增透減反功能層。6.種消影高透過率OGS用 玻璃制造方法,其特征在于:該方法工藝分為三種工藝制作流程, 第一種工藝制作流程,絕緣邊框(2)鍍在基板(I)前表面的前表面的功能層和ITO膜層之前,為第一道工序;則前表面的鍍膜制程全部采用低溫鍍膜; 第二種工藝制作流程,絕緣邊框(2)鍍在基板(I)前表面的功能層和ITO膜(3)之間,則功能層采用高溫方式或者低溫方式生產均可,ITO膜層(3)需要采用低溫鍍膜; 第三種工藝制作流程,絕緣邊框(2)鍍在基板(I)前表面前表面的功能層和ITO膜層之后,則鍍膜制程完全可采取高溫鍍膜來完成。7.據權利要求6所述的消影高透過率OGS用玻璃制造方法,其特征在于,所述第一種工藝的具體流程如下: a、玻璃基板清洗; b、制作絕緣邊框(2)絕緣邊框圖案,絕緣邊框(2)邊框在基板(I)前表面; C、帶有絕...
【專利技術屬性】
技術研發人員:李俊華,姜翠寧,李亮亮,
申請(專利權)人:深圳市正星光電技術有限公司,
類型:發明
國別省市:
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