本發(fā)明專利技術(shù)涉及一種管式PECVD設(shè)備，包括上下料區(qū)、爐體和控制系統(tǒng)，還設(shè)有用于存儲從爐體內(nèi)出來的石墨舟的下料存儲區(qū)，所述下料存儲區(qū)設(shè)置有對石墨舟進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。本發(fā)明專利技術(shù)克服了采用現(xiàn)有的PECVD設(shè)備時，操作人員的工作環(huán)境差、工作效率低的缺點(diǎn)，提供一種可大大改善工作環(huán)境并提高工作效率的管式PECVD設(shè)備。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及太陽電池片制造領(lǐng)域。具體為一種對硅片進(jìn)行鍍膜的管式PECVD設(shè)備。
技術(shù)介紹
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)設(shè)備，即等離子增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積設(shè)備，用于對硅片進(jìn)行鍍膜，如圖1所示，其包括上下料區(qū)、爐體、抽真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，硅片裝在石墨舟中，通過上下料區(qū)進(jìn)入爐體進(jìn)行鍍膜，鍍膜后在上下料區(qū)將石墨舟卸下，即下舟。等離子增強(qiáng)化學(xué)氣象沉積設(shè)備對硅片進(jìn)行鍍膜的原理為:借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在硅片上沉積出所期望的薄膜。PECVD方法區(qū)別于其它CVD方法的特點(diǎn)在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學(xué)氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性很高的各種化學(xué)基團(tuán)，因而顯著降低CVD薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進(jìn)行的CVD過程得以在低溫(小于450° )實(shí)現(xiàn)。盡管如此，從爐體中出來的石墨舟的溫度仍然在150°以上，因此運(yùn)用管式PECVD設(shè)備的車間內(nèi)需設(shè)置冷卻房，操作人員需要將從爐體內(nèi)出來的石墨舟裝入石墨舟承載車，并通過石墨舟承載車將石墨舟推入冷卻房9進(jìn)行冷卻，之后再推回裝片房8將硅片從石墨舟中卸下并裝進(jìn)相應(yīng)的設(shè)備中。其缺陷在于，首先操作人員在下舟時會有強(qiáng)烈的炙熱感，對其健康不利；其次，操作人員需推著石墨舟到冷卻房，之后再推往裝片房，推行石墨舟的距離和時間較長，因此工作效率不高；另外，冷卻房的工作原理為:將車間內(nèi)的新鮮空氣抽入冷卻房，并將冷卻房內(nèi)被石墨舟加熱的空氣排出，這樣車間內(nèi)的空氣質(zhì)量下降，工作環(huán)境較差。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)解決的技術(shù)問題在于克服采用現(xiàn)有的PECVD設(shè)備時，操作人員的工作環(huán)境差、工作效率低的缺點(diǎn)，提供一種可大大改善工作環(huán)境并提高工作效率的管式PECVD設(shè)備。本專利技術(shù)的一種管式PECVD設(shè)備，包括上下料區(qū)、爐體、抽真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，還設(shè)有用于存儲從爐體內(nèi)出來的石墨舟的下料存儲區(qū)，所述下料存儲區(qū)設(shè)置有對石墨舟進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。作為優(yōu)選，所述下料存儲區(qū)設(shè)有用于架設(shè)并存儲石墨舟的存儲架，所述冷卻裝置位于所述存儲架的下方。作為進(jìn)一步的優(yōu)選，所述存儲架上下排列，所述冷卻裝置位于最下層的存儲架的下方。作為優(yōu)選，所述冷卻裝置包括至少一個冷卻風(fēng)機(jī)。 作為進(jìn)一步的優(yōu)選，所述冷卻風(fēng)機(jī)為四個。作為進(jìn)一步的優(yōu)選，所述冷卻風(fēng)機(jī)為可調(diào)速冷卻風(fēng)機(jī)。作為進(jìn)一步的優(yōu)選，還包括與所述冷卻風(fēng)機(jī)電連接的風(fēng)冷控制裝置。作為進(jìn)一步的優(yōu)選，所述冷卻風(fēng)機(jī)與所述控制系統(tǒng)電連接。作為優(yōu)選，還設(shè)有用于存儲進(jìn)入爐體前的石墨舟的上料存儲區(qū)，所述上料存儲區(qū)位于所述上下料區(qū)的下方且位于所述下料存儲區(qū)的上方。作為進(jìn)一步的優(yōu)選，所述上料存儲區(qū)設(shè)有用于架設(shè)并存儲石墨舟的上料存儲架。本專利技術(shù)提供的管式PECVD設(shè)備和現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:1、本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備設(shè)有下料存儲區(qū)，并且所述下料存儲區(qū)設(shè)置有對石墨舟進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。石墨舟下舟前經(jīng)過冷卻裝置的冷卻，操作人員進(jìn)行下舟操作時不會再有炙熱感，下舟后直接推送到裝片房進(jìn)行裝片，大大減少了推送石墨舟的距離，因此也提高了工作效率。同時，由于不需要專門設(shè)置冷卻房，增大了車間內(nèi)的可用空間。2、采用冷卻風(fēng)機(jī)作為可調(diào)速冷卻風(fēng)機(jī)，完成冷卻工藝后石墨舟的溫度可降至45°以下，進(jìn)一步改善操作人員進(jìn)行下舟操作的環(huán)境。3、本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備還包括與冷卻風(fēng)機(jī)電連接的冷卻控制裝置，可通過冷卻控制裝置設(shè)置冷卻裝置的各種運(yùn)行參數(shù)，使其符合工藝要求，或者將冷卻裝置與所述控制系統(tǒng)電連接，通過控制系統(tǒng)控制冷卻裝置按照工藝要求自動運(yùn)行。附圖說明圖1為運(yùn)行現(xiàn)有PECVD設(shè)備的車間的布局示意圖；圖2為運(yùn)行本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備的車間的布局示意 圖3為本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備的下料存儲區(qū)的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記1-管式PECVD設(shè)備，2_上下料區(qū)，3_爐體，4_上料存儲區(qū)，5_下料存儲區(qū)，6_上料存儲架，7-冷卻風(fēng)機(jī)，8-裝片房，9-下料存儲架。具體實(shí)施例方式圖2為運(yùn)行本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備的車間的布局示意圖，圖3為本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備的下料存儲區(qū)5的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，四臺本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備I布置在一車間內(nèi)，每臺管式PECVD設(shè)備I包括上下料區(qū)2、爐體3、抽真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，與目前的管式PECVD設(shè)備I的不同之處在于，還設(shè)有下料存儲區(qū)5，以存儲從爐體3內(nèi)出來但還未下舟的石墨舟，并且所述下料存儲區(qū)5設(shè)置有對石墨舟進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。下料存儲區(qū)5最好設(shè)在上下料區(qū)2的下面，使石墨舟先經(jīng)過下料存儲區(qū)5并在下料存儲區(qū)5進(jìn)行一段時間的冷卻后再下舟。冷卻裝置可采用如水冷或者風(fēng)冷等各種冷卻方式。操作人員進(jìn)行下舟操作時不會再有炙熱感，下舟后直接推送到裝片房8進(jìn)行裝片，大大減少了推送石墨舟的距離，因此也提高了工作效率。同時，由于不需要專門設(shè)置冷卻房，增大了車間內(nèi)的可用空間。作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，如圖3所示，下料存儲區(qū)5包括用于存儲石墨舟的下料存儲架9，所述冷卻裝置位于所述下料存儲架9的下方，在本實(shí)施例中，所述冷卻裝置位于下料存儲架9下方。所述冷卻裝置包括四個冷卻風(fēng)機(jī)7，冷卻風(fēng)機(jī)7可直接固定于下料存儲架9上，亦可固定于專門設(shè)置的風(fēng)機(jī)支架上。在本實(shí)施例中，冷卻風(fēng)機(jī)7自下向上吹送冷風(fēng)以冷卻石墨舟。作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，所述冷卻風(fēng)機(jī)7為可調(diào)速冷卻風(fēng)機(jī)，其風(fēng)速在0.8-6.0米/秒之間，冷卻時間在3-8分鐘，完成冷卻工藝后石墨舟的溫度可降至45°以下，進(jìn)一步改善操作人員進(jìn)行下舟操作時的環(huán)境。下舟后，可使石墨舟直接進(jìn)入裝片房8進(jìn)行相關(guān)操作。作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，本專利技術(shù)的管式PECVD設(shè)備I還包括與所述冷卻風(fēng)機(jī)7電連接的冷卻控制裝置，可通過冷卻控制裝置設(shè)置冷卻裝置的各種運(yùn)行參數(shù)，如冷卻風(fēng)機(jī)7的風(fēng)速和運(yùn)行時間，使其符合工藝要求?；蛘卟辉O(shè)置專門的冷卻控制裝置，而是將所述冷卻裝置與所述控制系統(tǒng)電連接，通過控制系統(tǒng)控制冷卻裝置的運(yùn)行。作為上述實(shí)施例的優(yōu)選，還設(shè)有用于存儲進(jìn)入爐體前的石墨舟的上料存儲區(qū)4，所述上料存儲區(qū)4位于所述上下料區(qū)2的下方且位于所述下料存儲區(qū)5的上方。作為進(jìn)一步的優(yōu)選，所述上料存儲區(qū)4設(shè)有用于架設(shè)并存儲石墨舟的上料存儲架6。 以上實(shí)施例僅為本專利技術(shù)的示例性實(shí)施例，不用于限制本專利技術(shù)，本專利技術(shù)的保護(hù)范圍由權(quán)利要求書限定。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在本專利技術(shù)的實(shí)質(zhì)和保護(hù)范圍內(nèi)，對本專利技術(shù)做出各種修改或等同替換，這種修改或等同替換也應(yīng)視為落在本專利技術(shù)的保護(hù)范圍內(nèi)。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種管式PECVD設(shè)備，包括上下料區(qū)、爐體、抽真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，其特征在于：還設(shè)有用于存儲從爐體內(nèi)出來的石墨舟的下料存儲區(qū)，所述下料存儲區(qū)設(shè)置有對石墨舟進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。
【技術(shù)特征摘要】
1.一種管式PECVD設(shè)備，包括上下料區(qū)、爐體、抽真空系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，其特征在于:還設(shè)有用于存儲從爐體內(nèi)出來的石墨舟的下料存儲區(qū)，所述下料存儲區(qū)設(shè)置有對石墨舟進(jìn)行冷卻的冷卻裝置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管式PECVD設(shè)備，其特征在于:所述下料存儲區(qū)位于所述上下料區(qū)的下方。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的管式PECVD設(shè)備，其特征在于:下料存儲區(qū)設(shè)有用于架設(shè)并存儲石墨舟的下料存儲架，所述冷卻裝置位于所述下料存儲架的下方。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的管式PECVD設(shè)備，其特征在于:所述冷卻裝置包括至少一個冷卻風(fēng)機(jī)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的管式PECVD設(shè)備，其特征在于:所述冷...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳華偉，王廣軍，沈楊，張琪虎，潘淑陽，陳兵兵，鄧?yán)?/a>，尤朝華，呂海強(qiáng)，
申請(專利權(quán))人：洛陽尚德太陽能電力有限公司，無錫尚德太陽能電力有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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