本發明專利技術公開了一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置、沉積方法及沉積裝置。本發明專利技術的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置包括用于與要進行等離子體增強化學氣相沉積的基板相接觸的等離子體增強化學氣相沉積電極板，以及能在所述基板上產生與基板平行的電場的電極塊。該裝置可以在基板上形成水平的電場，從而驅動基板上的電荷運動，使電荷被中和，或在電路圖形中移動時耗散，故可以大大減少等離子體在化學氣相沉積的基板表面上沉積材料層過程中的電荷積累，避免基板上發生靜電釋放。該裝置還可改變基板上的局部電場，從而改變局部的成膜速度，以提高等離子體增強化學氣相沉積控制處理操作的均勻性，在基底的表面上形成薄厚均勻的材料層。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于等離子體增強化學氣相沉積
，具體涉及一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置、沉積方法及沉積裝置。
技術介紹
隨著經濟建設的快速發展，微電子技術得到了迅猛的發展，等離子體增強化學氣相沉積(簡稱=PECVD)設備的開發和使用也日益廣泛。PECVD設備是利用高頻電源輝光放電，產生等離子體化學沉積的設備，由于等離子體的存在，從而降低沉積溫度。目前，PECVD設備廣泛的用于液晶顯示行業、太陽能電池行業、半導體器件及大規模集成電路的制造行業等。 等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)通常被用來在基板(例如用于平面面板顯示器的透明基板或半導體晶片)上沉積材料層。PECVD通常是通過導引前驅物氣體或氣體混合物進入含有基板的真空腔室來完成，通過施加射頻給前驅物氣體或者氣體混合物使其被能量化(例如激發)成等離子體，這些等離子體可以相互反應或者與基底表面物質反應以便沉積成材料層。目前，薄膜晶體管液晶顯示裝置(TFT-1XD)制造工藝的成膜過程中，進行等離子體增強化學氣相沉積的基板上由于等離子的不均勻分布，容易發生電荷積累，當電荷積累到一定程度就會在基板上發生靜電釋放，故其難以控制處理操作的均勻性，在基底的表面上形成過厚或者過薄的材料層。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置、沉積方法及沉積裝置。該等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置能夠避免基板上發生靜電釋放，提高沉積材料層的均勻性。本專利技術提供一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置，包括用于與要進行等離子體增強化學氣相沉積的基板相接觸的等離子體增強化學氣相沉積電極板，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括能在所述基板上產生與基板平行的電場的電極塊。其中，當電極塊靠近基板時，只要其具有不同于等離子體增強化學氣相沉積電極板的電勢，即可在基板上產生與基板平行的電場；因此，電極塊應當能被施加與等離子體增強化學氣相沉積電極板不同的電勢。優選的是，所述電極塊與所述等離子體增強化學氣相沉積電極板之間通過絕緣件隔開。優選的是，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板上設置有凹槽，所述絕緣件為鑲嵌在所述凹槽內的絕緣凹槽，所述電極塊設在所述絕緣凹槽內。優選的是，所述電極塊的外表面與所述離子體增強化學氣相沉積電極板的外表面齊平。優選的是,所述絕緣件的材料為傳熱絕緣材料。優選的是，所述電極塊為多塊。優選的是，多塊所述電極塊在所述等離子體增強化學氣相沉積電極板上均勻排列。優選的是，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括位于所述等離子體增強化學氣相沉積電極板內的，用于將所述基板頂離或放在等離子體增強化學氣相沉積電極板上的移動定位單元；所述移動定位單元與所述等離子體增強化學氣相沉積電極板之間通過絕緣材料隔開; 控制所述移動定位單元的表面電壓的移動定位單元電壓控制單元，用于使所述移動定位單元在所述基板上產生與所述基板平行的電場。優選的是，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括控制所述電極塊的電壓的電極塊電壓控制單元，用于使所述電極塊在所述基板上產生與所述基板平行的電場。優選的是，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括位于所述等離子體增強化學氣相沉積電極板內的、用于加熱所述基板的加熱單元，和/或位于所述等離子體增強化學氣相沉積電極板內的、用于冷卻所述基板的冷卻單元。優選的是，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括用于檢測所述基板溫度的溫度檢測單元。本專利技術還提供一種等離子體增強化學氣相沉積方法，所述等離子體增強化學氣相沉積過程中使用上述的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置，且在等離子體增強化學氣相沉積過程中，用所述電極塊在所述基板上產生與所述基板平行的電場。優選的是，在等離子體增強化學氣相沉積過程中，通過多塊所述電極塊在所述基板上產生與所述基板平行的電場。優選的是，在等離子體增強化學氣相沉積過程中，通過使所述電極塊之間產生不同的電勢，和/或所述電極塊與所述等離子體增強化學氣相沉積電極板之間產生不同電勢，在所述基板上產生與所述基板平行的電場。優選的是，在等離子體增強化學氣相沉積過程中，通過使所述移動定位單元之間產生不同的電勢，和/或所述移動定位單元與所述等離子體增強化學氣相沉積電極板之間產生不同的電勢，和/或所述移動定位單元與所述電極塊之間產生不同的電勢，在所述基板上產生與所述基板平行的電場。本專利技術還提供一種等離子體增強化學氣相沉積裝置，包括上述所述的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置。本專利技術的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置可以在基板上形成水平的電場，從而驅動基板上的電荷運動，使電荷被中和或在電路圖形(Pattern )中移動時耗散，故可以大大減少等離子體在化學氣相沉積的基板表面上沉積材料層過程中的電荷積累，避免基板上發生靜電釋放。該裝置還可改變基板上的局部電場，從而改變局部的成膜速度，以提高等離子體增強化學氣相沉積控制處理操作的均勻性，在基底的表面上形成薄厚均勻的材料層。附圖說明圖1是本專利技術實施例2中的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置的局部剖視結構圖；圖2是本專利技術實施例2中的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置的沿X方向(或Y方向)剖視結構圖；圖3是本專利技術實施例2中的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置的俯視結構圖；圖4是本專利技術實施例2中的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置的凹槽立體圖；圖5是本專利技術實施例2中的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置的局部結構 圖。其中1-電極塊；2_移動定位單元；3_絕緣凹槽；4_等離子體增強化學氣相沉積電極板；5_加熱單元/冷卻單元；6_溫度傳感器。具體實施例方式為使本領域技術人員更好地理解本專利技術的技術方案，下面結合附圖和具體實施方式對本專利技術作進一步詳細描述。實施例1本實施例提供一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置，包括用于與要進行等離子體增強化學氣相沉積的基板相接觸的等離子體增強化學氣相沉積電極板，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括能在所述基板上產生與基板平行的電場的電極塊。本專利技術的等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置可以在基板上形成水平的電場，從而驅動基板上的電荷運動，使電荷被中和或在電路圖形(Pattern )中移動時耗散，故可以大大減少等離子體在化學氣相沉積的基板表面上沉積材料層過程中的電荷積累，避免基板上發生靜電釋放。該裝置還可改變基板上的局部電場，從而改變局部的成膜速度，以提高等離子體增強化學氣相沉積控制處理操作的均勻性，在基底的表面上形成薄厚均勻的材料層。實施例2如圖1至5所示，本實施例提供一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置，包括用于與要進行等離子體增強化學氣相沉積的基板相接觸的等離子體增強化學氣相沉積電極板4，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括能在所述基板上產生與基板平行的電場的電極塊I。在薄膜晶體管陣列制造過程的沉膜制造過程中，需要使用等離子體增強化學氣相沉積方法在基板上沉積材料層，會在基板表面積聚很多電荷引起靜電釋放，通過等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置的電極塊I可以在基板上形成水平的電場，從而驅動基板上的電荷運動，使電荷被中和或在電路圖形(Pattern)中移動時耗散，故可以大大減少等離子體在化學氣相沉積本文檔來自技高網...
【技術保護點】
一種等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置，包括用于與要進行等離子體增強化學氣相沉積的基板相接觸的等離子體增強化學氣相沉積電極板，其特征在于，所述等離子體增強化學氣相沉積電極板裝置還包括：能在所述基板上產生與所述基板平行的電場的電極塊。
【技術特征摘要】
【專利技術屬性】
技術研發人員：張治超，孫亮，趙海廷，郭總杰，劉正，
申請(專利權)人：京東方科技集團股份有限公司，北京京東方顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：
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